【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计

时间： 2020-06-24 来源：世强

代理服务

技术支持

批量订货

在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS搭建高功率的激光二极管不能满足要求的，需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。

EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。EPC2007C在激光雷达的应用原理：

EPC2007C主要是用于下图1的Q1的位置。V_DSS为100V，瞬态电流高达40A（Tpluse=300μS），Qg低至1.6nC。

EPC2007C如何实现高速开关，主要是根据Qg=It估算，当驱动的电流在1A时，t为1.6ns，开关响应的时间非常的低。超低的Qg，通过调节驱动电流，可以实现激光二极管的tw时间在3ns级别的应用（图1右所示的iDL脉冲波形）。

EPC2007C的常态电流只有6A，但是瞬态耐电流能力高达40A，当VIN电压70V左右、40A以内的大电流iDL的能量脉冲下，可实现高达上百米的检测距离。

图1：激光发射原理和波形

EPC2051采用的是LGA封装，尺寸信息如下：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Joshua提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。

2020-04-29 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】如何使用200V eGaN FET设计2.5kW高效FCML图腾柱无桥PFC整流器

本文介绍了一种适用于数据中心应用的高效，高功率密度，2.5kW的基于eGaN FET的飞跨电容4电平图腾柱无桥整流器。采用EPC旗下200V/8mΩ的EPC2215用于高频支路，其转换器在900W至2.5kW的效率超过99％，在1.4kW时的峰值为99.25％。

2020-11-27 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

【经验】eGaN FET EPC2016C开发板EPC9126的调试技巧分享

EPC9126是EPC公司推出的针对eGaN FET EPC2016C的demo板，在调试过程中经常会碰到各种问题，本文就调试步骤做一下总结。1、确认5V电源是否正确。2、确认信号发生器PWM信号是否正确，符合要求的应该是5V幅值，占空比为50%的输入信号。3、J8端信号确认，主要是确认开发板U3/U5芯片没有损坏。

2020-02-05 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

EPC2057氮化镓场效应晶体管材料成分声明

型号- EPC2057

7/8/2024 - EPC - 测试报告代理服务技术支持批量订货

EPC2934C氮化镓场效应晶体管材料成分声明

型号- EPC2934C

5/6/2024 - EPC - 测试报告代理服务技术支持批量订货

EPC2204A氮化镓场效应晶体管材料成分声明

型号- EPC2204A

1/10/2023 - EPC - 测试报告代理服务技术支持批量订货

【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南

一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例，分别从LGA和BGA封装来完成介绍。

2020-09-23 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

EPC 29215_55氮化镓场效应晶体管材料成分声明

型号- EPC29215_55

4/24/2024 - EPC - 测试报告代理服务技术支持批量订货

How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs

This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.

2021-11-01 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

EAS egallium氮化物放大器2.1评估套件Class-D高性能egallium氮化物FET放大器平台

描述- 该资料介绍了EAS eGaNAMP 2.1评估套件，这是一款高性能的eGaN FET放大器平台。该平台包括eGaNAMP2016放大器模块、D2Audio DAE-3HT/DAE-6控制器/数字信号处理器，支持立体声、2.0和2.1通道音频配置。平台提供高保真音频参考，支持多种音频输入源接口，包括立体声模拟音频输入、光S/PDIF数字音频输入和AES-EBU数字音频输入。此外，该平台具有完全可编程的DSP前端，支持USB接口进行编程，并兼容D2Audio DAE-3、DAE-3HT和DAE-6 IC。

2017/06/16 - EPC - 技术文档代理服务技术支持批量订货

EPC2215氮化镓场效应晶体管材料成分声明

型号- EPC2215

4/24/2024 - EPC - 测试报告代理服务技术支持批量订货

【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍

EPC推出新型200V eGaN FETs（氮化镓增强型功率晶体管），相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半，栅电极和源电极之间的距离有所减小，金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。

2020-11-04 - 新产品代理服务技术支持批量订货

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

2020-08-15 - 新产品代理服务技术支持批量订货