【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计

时间： 2020-06-24 来源：世强

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在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS搭建高功率的激光二极管不能满足要求的，需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。

EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。EPC2007C在激光雷达的应用原理：

EPC2007C主要是用于下图1的Q1的位置。V_DSS为100V，瞬态电流高达40A（Tpluse=300μS），Qg低至1.6nC。

EPC2007C如何实现高速开关，主要是根据Qg=It估算，当驱动的电流在1A时，t为1.6ns，开关响应的时间非常的低。超低的Qg，通过调节驱动电流，可以实现激光二极管的tw时间在3ns级别的应用（图1右所示的iDL脉冲波形）。

EPC2007C的常态电流只有6A，但是瞬态耐电流能力高达40A，当VIN电压70V左右、40A以内的大电流iDL的能量脉冲下，可实现高达上百米的检测距离。

图1：激光发射原理和波形

EPC2051采用的是LGA封装，尺寸信息如下：

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