【产品】650V增强型硅基氮化镓功率晶体管CGL65R190B，漏源导通电阻典型值170mΩ
青岛聚能创芯微电子有限公司推出的650V增强型硅基氮化镓功率晶体管CGL65R190B，具有高击穿电压和高开关频率特性。由于该产品具有极低的RDS(ON)和Qg组合，传导和开关功率损耗都被最小化，可提供比硅功率晶体管更高的效率。该晶体管采用PQFN封装，结到壳的热阻RθJC为1.5 °C/W，结到环境的热阻RθJA为62 °C/W。产品等效电路图和管脚定义如下图。
特性
● 超快切换
● 无反向恢复电荷
● 能够反向传导
● 低栅极电荷，低输出电荷
● 符合 JEDEC 标准级应用的要求
应用
● 高压AC/DC转换
● 高压DC/DC转换
● 高性能电源
关键性能参数，Tj=25°C
漏源电压VDS（最大值）：650V
漏源导通电阻RDS(ON)（典型值）：170mΩ
总栅极电荷QG（典型值）：2.0nC
连续漏极电流ID：13A
反向恢复电荷Qrr：0nC
绝对最大额定值 (TC=25℃， 除非另有说明)
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型号- CGK65R190C,CGK65R190B,HVA100,HVA650,CGL65R150B,HVP700,HVP300,HFAS200,CGL65R070B,CGL65R190B,HFAS100,HVP650,HVP100,CGK65R400B,HVA700,HFAC200,HFAC100,HVA300
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