【产品】650V增强型硅基氮化镓功率晶体管CGL65R190B，漏源导通电阻典型值170mΩ

时间： 2021-12-03 来源：聚能创芯

技术问答

青岛聚能创芯微电子有限公司推出的650V增强型硅基氮化镓功率晶体管 CGL65R190B，具有高击穿电压和高开关频率特性。由于该产品具有极低的R_DS(ON)和Q_g组合，传导和开关功率损耗都被最小化，可提供比硅功率晶体管更高的效率。该晶体管采用PQFN封装，结到壳的热阻R_θJC为1.5 °C/W，结到环境的热阻R_θJA为62 °C/W。产品等效电路图和管脚定义如下图。

特性

● 超快切换

● 无反向恢复电荷

● 能够反向传导

● 低栅极电荷，低输出电荷

● 符合 JEDEC 标准级应用的要求

应用

● 高压AC/DC转换

● 高压DC/DC转换

● 高性能电源

关键性能参数，T_j=25°C

漏源电压V_DS（最大值）：650V

漏源导通电阻R_DS(ON)（典型值）：170mΩ

总栅极电荷Q_G（典型值）：2.0nC

连续漏极电流I_D：13A

反向恢复电荷Q_rr：0nC

绝对最大额定值 (T_C=25℃，除非另有说明)

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