【产品】专为通用放大器应用的硅PNP晶体管BC177，BC177A和BC177B

时间： 2018-12-01 来源：Central

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Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的BC177，BC177A和BC177B是硅PNP晶体管。采用TO-18封装方式封装，实物如图1所示，专为通用放大器应用而设计，具有低功耗、低饱和压降等特点。

图1 BC177，BC177A和BC177B硅PNP晶体管的产品示意图

在工作温度为25℃时，BC177，BC177A和BC177B的集电极-基极电压最大额定值为50V，它们的集电极-发射极电压的最大额定值均为45V，发射极-基极电压的最大额定值为5.0V，集电极持续工作电流为100mA。它们的峰值集电极电流、峰值基极电流的最大额定值均为200mA。BC177，BC177A和BC177B的功耗P_D为300mW，具有低功耗的优势，可以满足低功耗器件的设计要求。它们的热阻为583.3°C/W，存储和工作温度范围为-65到+200℃，操作结温最高额定值为200℃，较宽的工作温度范围可以保证其在恶劣的环境下也可以实现可靠的性能，从而能够满足工业级工作温度要求。

在工作温度为25℃的条件下，BC177，BC177A和BC177B的集电极-基极电流I_CBO极低，在V_CB=20V，典型值为1.0nA，最大值为15nA。它们的发射极-基极在V_EB=5.0V的条件下，最大值为50nA。BC177，BC177A和BC177B的饱和压降V_CE(SAT)在I_C=10mA, I_B=0.5mA时，典型值为75mV，最大值为300mV；在I_C=100mA, I_B=5.0mA的条件下，典型值为250mV。它们的导通电压V_BE(ON)在V_CE=5.0V,I_C=2.0mA的条件下最小值、典型值以及最大值分别为600/650/750mV。较低的导通电压有效降低了导通损耗。BC177，BC177A和BC177B的输出电容C_OB在V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz的条件下，典型值仅为4.0pF，最大值为6.0pF,可减少信号衰减和失真，保持信号的完整性。在V_CE=5.0V、I_C=10mA、f=100MHz的环境下，它们的开关频率可达100MHz。噪声系数NF在V_CE=5.0V, I_C=200μA, R_S=2.0kΩ,B=200Hz, f=1.0kHz的条件下，最大值为10dB。

BC177，BC177A和BC177B硅PNP晶体管的不同之处在于直流放大系数，在V_CE=5.0V, I_C=2.0mA的条件下，它们的最小值分别为125/125/240，最大值分别为500/260/500。

图2 BC177，BC177A和BC177B硅PNP晶体管的轮廓及尺寸图(1发射极,2基极,3集电极)

BC177，BC177A和BC177B硅PNP晶体管突出特点与优势

·集电极-基极电压、集电极-发射极电压以及发射极-基极电压的最大额定值分别为50/45/5.0V

·集电极连续电流I_C最大额定值为100mA

·集电极峰值电流、基极峰值电流最大额定值均为200mA

·工作和存储温度范围为-65至+200°C

·饱和压降V_CE(SAT)典型值为75mV,最大值为300mV(I_C=10mA,I_B=0.5mA);典型值为250mV(I_C=100mA, I_B=5.0mA)

·集电极-发射极导通电压V_BE(ON)最小值、典型值和最大值分别为600/650/750mv (V_CE=5.0V,I_C=2.0mA)

·直流放大系数最小值分别为125/125/240，最大值分别为500/260/500(V_CE=5.0V, I_C=2.0mA)

·特征频率f_T最小值为100MHz(V_CE=5.0V,I_C=10mA,f=100MHz)

·输出电容Cob典型值为4.0pF，最大值为6.0pF(V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz)

·噪声系数NF最大值为10dB(V_CE=5.0V, I_C=200μA, R_S=2.0kΩ,,B=200Hz, f=1.0kHz)

BC177，BC177A和BC177B硅PNP晶体管主要运用领域

·通用放大器

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