【产品】面向移动应用的高性能SDRAM,存储器容量达4G
——采用双倍数据率架构,面向低功耗内存新标准
AS4C128M32MD2是一款面向低功耗内存新标准的同步动态随机存储器(SDRAM)。该存储器容量为4G,内存组织形式为16Mwords×32bits×8banks,是ALLIANCE Memory 推出的又一款采用双速率架构以实现高速数据读写操作的存储器,其在普通应用中的最高读写速率可达1066Mbps。
图1:AS4C128M32MD2实物图
为了实现高速操作以及让I/O引脚在每个时钟周期内传输两个数据,基于LPDDR2-S4标准的 AS4C128M32MD2在命令/地址(CA)总线上使用了双倍数据速率架构,以减少系统中的输入引脚数。10位CA总线包含命令、地址和Bank / Row缓冲区信息。每个命令使用1个时钟周期,在该时钟周期内,在时钟的正边沿和负边沿上传送命令信息。在正常操作之前,AS4C128M32MD2必须以预定义的方式上电和初始化。
AS4C128M32MD2采用4n预取接口,设计用于在每个时钟周期在I / O引脚传输两个数据。LPDDR2-S4一个有效的读取或写入访问操作是由内部SDRAM核心4n位宽、1个时钟周期数据传输以及I / O引脚的4n位宽、半个时钟周期的数据传输组成。此外,该器件采用134球的FBGA封装,支持低功耗节省功能,如PASR、Auto-TCSR、DPD以及不同驱动强度的选项,非常适合移动应用。
主要特性:
• JEDEC LPDDR2-S4B兼容
• 电源电压:
--VDD1 = 1.8V (1.7V~1.95V)
--VDD2/VDDQ/VDDCA = 1.2V (1.14V~1.3V)
• 数据速率:1066Mbps
• 突发长度:4,8,16
• 支持自动刷新和自我更新
• 符合RoHS要求
• 工作温度范围
--商业级(-25℃〜85°C)
--工业级(-40℃〜85°C)
• 可编程延迟读写
• 差分时钟:CK & CK#
• 双向单/差分数据选通:DQS和DQS#
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