【产品】面向移动应用的高性能SDRAM，存储器容量达4G

时间： 2017-02-07 来源：世强

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存储器,SDRAM,AS4C128M32MD2,AS4C128M32MD2-18BCN

——采用双倍数据率架构，面向低功耗内存新标准

AS4C128M32MD2是一款面向低功耗内存新标准的同步动态随机存储器（SDRAM）。该存储器容量为4G，内存组织形式为16Mwords×32bits×8banks，是ALLIANCE Memory 推出的又一款采用双速率架构以实现高速数据读写操作的存储器，其在普通应用中的最高读写速率可达1066Mbps。

图1：AS4C128M32MD2实物图

为了实现高速操作以及让I/O引脚在每个时钟周期内传输两个数据，基于LPDDR2-S4标准的 AS4C128M32MD2在命令/地址（CA）总线上使用了双倍数据速率架构，以减少系统中的输入引脚数。10位CA总线包含命令、地址和Bank / Row缓冲区信息。每个命令使用1个时钟周期，在该时钟周期内，在时钟的正边沿和负边沿上传送命令信息。在正常操作之前，AS4C128M32MD2必须以预定义的方式上电和初始化。

AS4C128M32MD2采用4n预取接口，设计用于在每个时钟周期在I / O引脚传输两个数据。LPDDR2-S4一个有效的读取或写入访问操作是由内部SDRAM核心4n位宽、1个时钟周期数据传输以及I / O引脚的4n位宽、半个时钟周期的数据传输组成。此外，该器件采用134球的FBGA封装，支持低功耗节省功能，如PASR、Auto-TCSR、DPD以及不同驱动强度的选项，非常适合移动应用。

主要特性：

• JEDEC LPDDR2-S4B兼容

• 电源电压：

--VDD1 = 1.8V (1.7V~1.95V)

--VDD2/VDDQ/VDDCA = 1.2V (1.14V~1.3V)

• 数据速率：1066Mbps

• 突发长度：4，8，16

• 支持自动刷新和自我更新

• 符合RoHS要求

• 工作温度范围

--商业级（-25℃〜85°C）

--工业级（-40℃〜85°C）

• 可编程延迟读写

• 差分时钟：CK & CK#

• 双向单/差分数据选通：DQS和DQS＃

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全部评论（2）

我就是我 Lv7. 资深专家 2017-11-10

性能不错
饮水者 Lv8. 研究员 2017-10-19

收藏了

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