【产品】120V/30A高性能NPN达林顿功率晶体管,开关频率为4MHz
CP147-MJ11016芯片是Central Semiconductor公司推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管,专为高电流应用而设计。该芯片的工作温度范围为-65-200℃,最大可承受电压为120V,可通过高达30A的电流,性能极为稳定。集电极-发射极电压偏差为3.0V,具有良好的低功耗性能。开关频率为4MHz,开关切换速度极快。
硅NPN达林顿功率晶体管CP147-MJ11016的尺寸为195 x 195 MILS,厚度为11.4 MILS,使用Ti/Ni/Au作为板负极金属材料,CP147-MJ11016可在直接安装在底板表面,安装便捷,使用方便。
硅NPN达林顿功率晶体管CP147-MJ11016的应用优势:
·最大可承受电压为120V,可通过高达30A的电流,性能极为稳定。
·低功耗性能优秀
·开关频率为4MHz,开关切换速度极快
·使用Ti/Ni/Au作为板负极金属材料,可直接安装在底板表面,安装便捷。
硅NPN达林顿功率晶体管CP147-MJ11016的应用领域:
·电机调速
·逆变器
·LED驱动
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由karl翻译自Central Semiconductor,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管,专为高增益放大器和中速开关应用而设计
Central推出的2N6298/2N6299(PNP型)和2N6300/2N6301(NPN型)系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管,专为高增益放大器和中速开关应用而设计,有着较宽的温度范围,采用了TO-66封装,有着较好的散热性。
【产品】开启时间仅1μs的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管,专为需要高增益的开关和输出应用而设计
Central Semiconductor美国中央半导体公司推出的D44E系列器件是硅NPN达林顿功率晶体管,采用外延基极工艺制造,具有2个集成电阻和1个二极管,专为需要高增益的开关和输出应用而设计。具有电流大、增益高、热阻低等特点。
【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计
CP127-2N6300是Central Semiconductor推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片,专为高增益放大器应用而设计。该产品具有较高的耐压值,集电极-基极电压以及集电极发射极电压均可高达60V,连续集电极电流为8A,峰值集电极电流更是高达16A,可满足一般的大电流的应用需求。
D40K系列NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40K系列NPN硅达林顿功率晶体管。这些晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40K1,D40K2,D40K,D40K3,D40K SERIES,D40K4
D40C4 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C4型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用,具有集电极-发射极电压、连续集电极电流、功耗等最大额定值和电气特性。
型号- D40C4 TYPE,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,D40C4
TIP120 TIP121 TIP122 NPN/TIP125 TIP126 TIP127 PNP硅功率达林顿互补晶体管数据表
描述- 该资料由Central Semiconductor Corp.提供,主要内容包括公司联系方式、产品支持服务、设计师支持与服务、产品镀层请求流程、全球代表和分销商信息。此外,还介绍了TIP120系列功率晶体管的停产通知,包括具体的型号和替代建议。
型号- TIP120,TIP121,TIP122,TIP125,TIP126,TIP127,TIP125 SERIES,TIP120 SERIES
【产品】三款采用SOT-89封装的硅晶体管,功率损耗仅为1.2W,助力高电压产品应用
Central Semiconductor公司推出的一系列环氧模塑硅晶体管——CXTA42,CXTA92,采用外延平面工艺生产,表面贴装。而CXTA27型是一种NPN硅达林顿晶体管,也采用外延平面工艺生产和环氧树脂模塑,表面贴装封装。CXTA42、CXTA92和CXTA27均采用SOT-89封装,其主要应用于极高电压和高增益能力的应用。
D44E1 D44E2 D44E3硅NPN达林顿功率晶体管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管。这些器件采用外延基工艺制造,具有两个集成电阻和一个二极管,用于稳定和保护。适用于需要高增益的开关和输出应用。
型号- D44E3,D44E1,D44E2,D44E SERIES,D44E
【产品】内置7个电路的单片IC晶体管阵列,反向电流IR最大值仅50µA
BA12003B ,BA12003BF,BA12004B ,BA12004BF是Rohm(罗姆)半导体公司推出的单片IC晶体管阵列,它将达林顿结构的NPN晶体管7电路集成在一块芯片中。每个电路中都内置有用于吸收输出浪涌的钳位二极管。该款产品拥有低漏电流、低正向电压、高电流增益、低损耗功率等优势,可用于电机驱动器、LED驱动器、电磁阀驱动器、低侧开关等应用。
【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管,具有NPN型和PNP型
CENTRAL推出的2N6282/2N6283/2N6284(NPN型)和2N6285/2N6286/2N6287(PNP型)系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管,采用外延基极工艺制造,专为通用大电流,高增益放大器和开关应用而设计。散热性好,具有较宽的工作温度范围。
D40C1 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C1型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40C1 TYPE,D40C1
DPAK CASE CJD122 NPN CJD127 PNP SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的两款互补硅功率达林顿晶体管CJD122(NPN)和CJD127(PNP),这些晶体管采用表面贴装封装,适用于低速开关和放大器应用。资料提供了最大额定值、电气特性、封装信息和产品支持服务。
型号- CJD122,PNP,NPN,CJD127
【产品】16A工业级硅互补功率达林顿晶体管,专为低速开关和放大器应用而设计
CJD122(NPN)和CJD127(PNP)是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率达林顿晶体管,他们具有高耐压、高电流、低饱和压降、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装,专为低速开关和放大器应用而设计。
D40C7 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C7型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40C7 TYPE,D40C7
电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:Surface mount-MOSFET
价格:¥0.8136
现货: 16,000
品牌:Central Semiconductor
品类:Surface mount Transistor
价格:¥0.5403
现货: 6,000
现货市场
服务
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论