【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ0615E/DMX0615E,输入电压可高达70V
DMZ0615E / DMX0615E 是方舟微(ARK)推出的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,DMZ0615E是一种宽范围电压(高达70V)调节器。其输入电压可高达70V,并可根据不同的工作条件提供约8V-23V的稳定输出电压。它非常适合具有充电电压可变输出(5V-20V)的快充(QC4.0)/Type C PD充电器应用。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET DMZ0615E可以为负载提供稳定的供电,并且输出电压可由内部钳位,无需齐纳二极管。
DMZ0615E能承受高达70V的宽电压输入,并能为负载提供合适的电压。这些特性适合快充(QC4.0)/Type C PD充电器的应用,其PWM控制IC需要稳定的电压供电。
产品外观和示意图
特点:
改进的ESD能力
耗尽型(常开型)
专有的高级平面技术
专有的高级超高阈值电压技术
符合RoHS标准
无卤素
应用:
快充(QC4.0)/Type C PD充电器或适配器
电流源
电压源
绝对最大额定参数(TA=25℃,除非另有说明):
热特性:
主要电气特性(TA=25℃,除非另有说明):
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关于ARK(方舟微)产品在充电器上应用的说明
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方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
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