【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ0615E/DMX0615E,输入电压可高达70V
![超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,耗尽型MOSFE,DMZ0615E,DMX0615E](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
![超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,耗尽型MOSFE,DMZ0615E,DMX0615E](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
DMZ0615E / DMX0615E 是方舟微(ARK)推出的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,DMZ0615E是一种宽范围电压(高达70V)调节器。其输入电压可高达70V,并可根据不同的工作条件提供约8V-23V的稳定输出电压。它非常适合具有充电电压可变输出(5V-20V)的快充(QC4.0)/Type C PD充电器应用。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET DMZ0615E可以为负载提供稳定的供电,并且输出电压可由内部钳位,无需齐纳二极管。
DMZ0615E能承受高达70V的宽电压输入,并能为负载提供合适的电压。这些特性适合快充(QC4.0)/Type C PD充电器的应用,其PWM控制IC需要稳定的电压供电。
产品外观和示意图
特点:
改进的ESD能力
耗尽型(常开型)
专有的高级平面技术
专有的高级超高阈值电压技术
符合RoHS标准
无卤素
应用:
快充(QC4.0)/Type C PD充电器或适配器
电流源
电压源
绝对最大额定参数(TA=25℃,除非另有说明):
热特性:
主要电气特性(TA=25℃,除非另有说明):
订购信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由小背篓翻译自方舟微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1015E/DMX1015E,可用于快充、电流源和电压源
DMZ1015E/DMX1015E是方舟微超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,采用专有超高阈值电压技术开发和制造。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET可以为负载提供稳定的功率,并且可以在不使用齐纳二极管的情况下由内部钳位保护负载,并且降低了电路损耗。
产品 发布时间 : 2022-05-27
利用耗尽型MOSFET_DMZ6005E来实现电压调节器,电路结构简单成本低,避免EMI问题
利用耗尽型MOSFETDMZ6005E实现的 AC-DC 电压调节器,是一种非常经济的 IC 电源实现方式。它不需变压器和大值电容,非常适合于给小电流 IC 芯片供电,如豆浆机、街灯控制以及各种小型家电的控制芯片。
产品 发布时间 : 2023-11-13
电路保护专家方舟微,提供全系列DMMOS可精准选型,特殊型MOS可高端定制
专业电路保护创新先行者,ARK(方舟微)提供国内唯一耗尽型MOSFET,提供全系列DMMOS可精准选型,并支持特殊型MOS可高端定制。
产品 发布时间 : 2024-02-28
【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
技术探讨 发布时间 : 2022-12-29
方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-1200,ID (A):0.01-17,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。
产品型号
|
品类
|
VTH (V)
|
ID (A)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
Package
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Max.
|
DMZ6005E
|
耗尽型MOSFET
|
-3.3~- 1.5
|
0.02
|
500
|
SOT-23
|
600
|
700
|
选型表 - 方舟微 立即选型
方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET。
应用方案 发布时间 : 2024-01-27
【技术】解析耗尽型MOSFET的原理及应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛用于固态继电器、“常开”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本文中方舟微将为大家解析耗尽型MOSFET的原理及应用。
技术探讨 发布时间 : 2022-04-27
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
ARK(方舟微) 为快充而生 Depletion MOSFET
型号- DMZ1315E,DMZ1315EL,DMZ6005E,DMZ6012E,DMZ85200E,FTX15N35G,DMX1015E,FTZ15N35G,DME6010D,DMX1315EL,DMX1315E,AKF30N5P0SX,DMZ1015E,DMZ1521E
耗尽型MOSFET与JFET的比较
JFET的全称分为结型场效应晶体管,MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管(FET),场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-08
耗尽型MOSFET的几种应用简介
耗尽型MOSFET的几种应用简介:在上述电路中,无需使用其它DC-DC元件,仅使用一颗耗尽型MOSFET,即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足:Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。
应用方案 发布时间 : 2023-12-08
电子商城
服务
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2023/07/985baefb090fe24c415786b209748786.png)
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2021/11/df98b1856ba85dd4a335b7a91aae2b04.png)
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论