【应用】虹美功率半导体N沟道增强型功率MOSFET HM2310DR用于移动电源方案，VGS可高达10V
客户与应用
移动电源由于其便捷性和易携带性，已经得到了广泛应用，但是由于消费电子市场的异常火爆，消费者希望有更大电容量的移动电源来满足不同便携式数码产品的供电要求。本文以某客户其采用虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2310DR应用于移动电源方案应用为例进行分享。
挑战
消费者对于移动电源的两大主要诉求为：充电更安全和充电更迅速。这便对移动电源方案除了主芯片以外，周围元器件的参数规格要求也更高。由于移动电源在快速充电时需要提高电压来达到高电流高功率，因此需要用于整流同步的MOSFET需要确保其高安全性，同时，低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOSFET性能要求更为严苛。
因此在移动电源应用中对于MOSFET关键性能要求主要为：充电更安全、充电更迅速。因为只有这样MOSFET才能在满足移动电源电性能要求的基础上，也为移动电源的小型化，高安全做出突出贡献。
解决方案与采用技术
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2310DR，器件无铅，支持表面贴装，具有出色的漏-源导通电阻(最大值可低至105mΩ，VGS=10V, ID=5A)，ID电流可高达5A，具有超低开启电压，器件采用DFN2X2-6L外壳封装。器件ID电流及漏-源导通电阻图示如下图所示：
为了保证移动电源在充放电工作过程中温度可控（避免引起其他安全事故）和工作电流大（充、放电迅速），对于MOSFET的选型，我们主要关注：VDS电压、RDS(ON)漏-源导通电阻、ID电流以及T(ON)&T(OFF)时间等特性参数。
该系列器件漏-源导通电阻最大值可低至105mΩ，且此时VGS高达10V，ID电流高达5A，可以使得移动电源安全驱动更大容量，电转换效率率高，同时也能够延长锂电池使用寿命，提高消费者的满意度；另外其极低的漏-源导通电阻和极低的栅极电荷(低至6nC)有利于提高移动电源的工作频率和降低其开关损耗；其具备低至6nS的开通延时时间和15nS的关断延时时间，确保了其快速开关特性，进而进一步提高了其转换效率，使得充放电速度更快。
该系列器件的极强的大电流(5A)和高功率处理能力以及良好的抗雪崩击穿能力，使得器件能够再满足移动电源充放电特性的基础上也对安全性有绝对的保障。该系列器件采用DFN2X2-6L超薄型外壳封装，同时使得同样储能的移动电源尺寸更小；
成果与效益
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2310DR应用于移动电源方案应用，不仅可有效提升其安全性能，也为快速充电性做出贡献，给消费者带来极佳的用户体验；除此之外，该器件可广泛应用于电池开关，DC-DC转换器以及电源管理等各类家用电子设备，具有极其广泛的应用领域。
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评论
全部评论（3）
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小用户 Lv8. 研究员 2023-05-18学习 -
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-05-17感谢分享 -
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小用户 Lv8. 研究员 2023-05-16学习
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