【产品】集成SIC MOSFET和SIC二极管的功率模块

时间： 2017-02-09 来源：世强

技术问答

——1200V、35A！可极大改善太阳能逆变器和不间断电源应用系统的性能与成本

VINCOTECH是一家致力于提供电力电子功率模块解决方案的供应商，此次Vincotech为我们带来了其先进的flowBOOST 0 SIC家族功率模块，该系列功率模块包含M33x系列和Lx系列产品。flowBOOST 0 SiC将来自半导体领先厂商Rohm和CREE的SiC MOSFET与SiC二极管相结合，提高了系统效率，降低了设计成本，减小了产品尺寸，可广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源中。

flowBOOST 0 SiC是一款低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的功率器件。该系列功率模块耐压值高达1200V，工作电流为35A，拥有极低的导通电阻，M33x系列导通电阻低至40mΩ，而Lx系列导通电阻也仅为80mΩ，能够实现较高的系统效率。 M33x系列采用第二代SIC MOSFET技术结合CREE和Rohm的高效SIC二极管；Lx系列将1200V SIC MOSFET、1200V SIC二极管（CREE、Rohm）和集成旁路二极管相结合，极大地提高了功率模块的整体性能。同时，flowBOOST 0 SiC还具有高频率特性，开关频率可以大于100KHZ，用于高频系统中，可明显减少产品整体体积。

传统变频器的三相逆变模块中没有专门做续流的二极管，一般采用内置Si二极管做续流，但Si二极管反应慢，反向尖峰高，续流效果差，且损耗大，导致功率模块发热量大。这样导致在设计中必须加大散热片的面积和体积，使设计成本大大增加。

flowBOOST 0 SiC内置SiC MOSFET和 SiC二极管，可以应用于更高的驱动频率，低内阻，且SiC二极管几乎没有反相回复尖峰，有利于效率提高，并且降低产品散热片的体积，改善EMC性能。用SiC MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外，SiC MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现被动器件的小型化。

flowBOOST 0 SiC系列功率模块采用CREE和Rohm先进的SIC二极管，并具有以下优势：零反向恢复电流，低电磁干扰（EMI），不受温度影响的开关特性，减少了对散热片的要求，并有着更高的浪涌和雪崩能力，能够满足工程师们对功率系统更紧凑的设计、更高的电流以及表面贴装封装的要求。

flowBOOST 0 SiC系列功率模块采用了全新的压接技术，不需要焊接处理，从而使PCB设计和组装更加快速简单，显著地缩短PCB板的组装时间，降低加工成本，提高生产效率。此外，该模块还可以根据客户的需求提供相变材料，这些相变材料可以有助于元器件的热性能改善。

flowBOOST 0 SiC系列外壳均采用flow 0封装，具有低电感布局，结构也更为紧凑。其改进的引脚排列将使路由设计更加容易，该系列功率模块广泛应用于太阳能逆变器、UPS中。

flowBOOST 0 SiC产品特点：
• 高效升压电路
• SIC MOSFET和SIC二极管相结合
• 超快开关切换频率
• 具有更高的系统效率
• 可减小散热设备的体积
• 提高了系统的开关频率和功率密度

选型指南：