【选型】兆易创新serial Flash GD25S512MDYIG替代N25Q512A13GF840可行性分析
FLASH闪存是一种非易失性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术,兆易创新(GigaDevice)的NOR Flash、NAND Flash等产品已通过SGSISO9001及ISO14001等管理体系的认证,被广泛应用于安防,汽车,消费,通信等领域。
本文介绍一款兆易创新的serial Flash GD25S512MDYIG,该芯片可以PIN-TO-PIN替换MICRON的serial Flash N25Q512A13GF840。
GD25S512MDYIG和N25Q512A13GF840参数对比如下表所示:
GD25S512MDYIG和N25Q512A13GF840封装对比:
通过以上对比可知,GD25S512MDYIG和N25Q512A13GF840内存、工作电压、工作温度和封装相同,而频率
GD25S512MDYIG要优于N25Q512A13GF840,这样在写入数据量相同的情况下,GD25S512MDYIG用时会更短,另外,GD25S512MDYIG的功耗也远低于N25Q512A13GF840,在低功耗系统中,GD25S512MDYIG更具优势。
另外,我们知道,如果两个器件要PIN TO PIN替换,除了以上参数对比外,更重要的是芯片的封装大小,管脚间距是否
一致,如果一致,就不用重新画板的,即可节省时间,又可降低研发成本;
下面进行GD25S512MDYIG和N25Q512A13GF840的封装尺寸对比如下:
图1 GD25S512MDYIG封装尺寸图
图2 N25Q512A13GF840的封装尺寸图
从GD25S512MDYIG和N25Q512A13GF840的封装尺寸对比图,可以看出,管脚之间的间距都为1.27mm,焊盘大小都为0.4mm,芯片大小都为8*6mm,,这样可以在不用重新画板的基础上,GD25S512MDYIG可以 PIN TO PIN替换N25Q512A13GF840。
综上所述,兆易创新的GD25S512MDYIG和MICRON的N25Q512A13GF840内存、工作电压、工作温度、封装、管脚间距、焊盘大小、芯片大小都相同,而频率上GD25S512MDYIG要优于N25Q512A13GF840,这样在写入数据量相同的情况下,GD25S512MDYIG用时会更短,另外,GD25S512MDYIG的功耗也远低于N25Q512A13GF840,因此GD25S512MDYIG可完美替换N25Q512A13GF840。
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