Cree将投资10亿美元，扩大SiC碳化硅产能、满足EV电动汽车和5G市场需求

时间： 2019-05-09 来源：CREE

技术问答

CREE先进的制造园区，将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型，满足EV电动汽车和5G市场需求。此次产能扩大，将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长。

5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂

投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。

作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为WOLFSPEED SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

科锐是Wolfspeed功率和RF射频半导体、照明级LED、照明产品的创新者。科锐Wolfspeed产品家族包括了SiC碳化硅材料、功率器件、射频器件，广泛应用于电动汽车、快速充电、逆变器、电源、电信、军事、航空航天等领域。科锐LED产品家族包括了蓝光和绿光LED芯片、高亮度LED和照明级大功率LED，广泛应用于室内和户外照明、显示屏、交通、特种照明等领域。科锐LED照明系统和光源服务于室内和户外照明应用。

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plhust Lv7. 资深专家 2020-04-15

挺好
Panda Lv8. 研究员 2019-08-28

学习了解下
欢哥 Lv5. 技术专家 2019-08-12

学习了
独角兽 Lv9. 科学家 2019-08-12

不错
李晓龙 Lv8. 研究员 2019-08-12

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燕南天20151202 Lv7. 资深专家 2019-08-10

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冬天 Lv5. 技术专家 2019-08-09

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454674780 Lv7. 资深专家 2019-08-09

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李晓龙 Lv8. 研究员 2019-08-09

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korey Lv7. 资深专家 2019-08-08

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选型指南 - 华轩阳电子 - 2020/11/20 PDF 中文下载

在利用LLC谐振型电路设计的充电模块中，副边如果采用全波整流电路进行整流，副边输出电压范围是250-500V。有没有合适的碳化硅二极管器件适用于全波整流?

推荐Wolfspeed（科锐）的600V、650V碳化硅二极管，具体选型资料链接如下：https://www.sekorm.com/doc/65949.html【选型】Wolfspeed（科锐） SiC功率器件选型指南另外世强也代理罗姆、力特的碳化硅二极管，具体资料也可以在电商平台上搜索到。

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【选型】Wolfspeed（科锐）SiC碳化硅材料选型指南

描述- Wolfspeed（科锐）拥有无可匹敌的雄厚技术基础，对其材料供应采取了独一无二的垂直化管控，并且不断投资扩大其现有基础设施与制造能力来实现SiC功率模块的推进。能够提供业界一流的功率产品和专用的SiC材料供应，这正是Wolfspeed（科锐）在功率半导体产品世界长久植根，专业研究和知识产权组合的成果。

型号- W4NPG4C-C1-V200,W4NPG4C-C1-U200,W4NPG4C-C1-B200,W4TPF0R-0200,W4NRG4C-C1-V200,W4TPG0R-N-0200,W4NRG4C-C1-U200,W4NPF4C-V200,W4TRF0R-0200,W4NPF4C-U200,W4NRF4C-V200,W4XXXXX-X-XXXX,W4NRF4C-U200,W4NPF4C-B200,W4TRG0R-N-0200

选型指南 - WOLFSPEED - 2019年4月23日 PDF 英文下载

先导中心可量产TO-247封装的SiC SBD、SiC MOSFET，可广泛用于光伏逆变器、电动汽车等领域

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原厂动态发布时间 : 2022-03-23

Commercially Available SiC Power Devices

型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,C3M0120090K,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-5FF0912P,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,C2D05120A,CPW4-1200-S008B,CPW3-0600-S003B,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3D10065I,C3D10065E,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3D20065D,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C3M0065090K,C2M0080120D,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CPW4-1200-S015B,CRD-20DD09P-2,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CVFD20065A,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2

技术文档 - WOLFSPEED - Rev. - - 2017/08/28 PDF 英文下载

世强代理了哪些汽车元件？

RENESAS：汽车级MCU、IGBTMELEXIS：全球平均每辆车有8颗MELEXIS品牌的芯片PRECI-DIP：世界领先的车制车针和连接器供应商SILICON LABS：MCU、WIRELESS、BROADCASTLITTELFUSE：全球保护器件类行业中排名第一KYOCERA：全球唯一从材料端-陶瓷底座-封装最终产品的晶体晶振供应商，显示器技术龙头品牌EPSON：晶体、晶振厂家为数不多能够出品汽车级产品的厂牌UMS：全球24G雷达解决方案出货量第一ROGERS：专业汽车级毫米波雷达PCBRICOH：汽车LDO、DC/DC电源管理芯片ALLIANCE：汽车级存储器WOLFSPEED：SiC功率器件，供应全球90%的SiC WaferVINCOTECH：IGBT功率模块SMI：TPMS/TMAP/DPF/GPF/EGR/机油压力传感TE：湿度传感器、压力传感器、温度传感器、压电薄膜传感器、位置传感器、加速度传感器、力传感器KEYSIGHT：电源、频谱、信号源分析仪，示波器，万用表，数据采集及开关系统AARONIA AG：天线STANDEX-MEDER：国内及欧美主要汽车厂家BMS继电器供应商WIMA：塑料薄膜电容器、纸介质电容器、DC-LINK电容SHINDENGEN：桥堆制造领军企业LAIRD：电磁屏蔽产品和界面导热材料

技术问答发布时间 : 2017-08-08

【产品】Wolfspeed全新SiC功率器件WAS300M12BM2，可替换Si功率器件

Wolfspeed全新的WAS300M12BM2功率模块在高湿度条件下表现出优异的性能，这是第一款通过HV-H3TRB测试验证具有长期使用寿命的，并针对恶劣环境应用的全SiC功率器件，其在可再生能源和交通运输等户外功率转换应用中的使用打开了大门。

新产品发布时间 : 2018-05-27

【应用】中电国基南方SiC肖特基二极管助力光伏逆变器，WS3AXXX120系列可pin-pin替代CREE C4D系列

目前随着SiC功率器件进入市场，将为小型光伏逆变系统带来最大的竞争优势。具有SiC功率器件的电力电子设备可将太阳能微逆变器和串式逆变器的效率提升到98%以上，其中SiC功率二极管可将能量收集效率提升1.5%以上。中电国基南方作为国内SiC器件的领先企业，具有一系列可用于光伏逆变器领域的SiC肖特基二极管，并可以PIN-PIN替换CREE的C4D系列。

应用方案发布时间 : 2020-04-11

【应用】CCS050M12CM2三相碳化硅MOSFET模块用于工业电源，具有25mΩ超低内阻

工业是推动经济发展的引擎，而所有工业产品的应用都离不开电源（比如工业自动化控制、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表等工业领域电源）。因此，工业电源需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求。据此，本文推荐Wolfspeed的一款CCS050M12CM2的三相碳化硅MOSFET模块。

应用方案发布时间 : 2019-04-09