【产品】200V N沟道MOSFET TMA/TMD/TMU5N20H，连续漏极电流最大额定值为5A

时间： 2019-10-24 来源：无锡紫光微

代理服务

技术支持

采购服务

无锡紫光微电子有限公司是一家专注于集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试和先进半导体功率器件研发的集成电路设计企业，其推出了型号为TMA5N20H、TMD5N20H、TMU5N20H的三款N沟道MOSFET，分别采用TO-220F、TO-252、TO-251的封装方式，满足ROHS标准。

图：三款器件的外部封装图和内部电路图

本产品的漏源电压最大额定值为200V，连续漏极电流最大额定值为5A，漏源导通电阻最大值仅为0.6Ω（V_GS=10V, I_D=2.5A），栅源电压最大额定值为±20V，脉冲漏极电流最大额定值为20A，重复雪崩能量最大额定值为3.2mJ，单脉冲雪崩能量最大额定值为45mJ，雪崩电流最大额定值为3A，TMA5N20H的功耗低至17W，TMD5N20H与TMU5N20H的功耗均为46W，而三款器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。

N沟道MOSFET TMA\TMD\TMU5N20H的特点：

•快速切换

•100%雪崩测试

•改进的dv / dt功能

N沟道MOSFET TMA\TMD\TMU5N20H的应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

热阻信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Topaz翻译自无锡紫光微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-09 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压500V，漏极电流25A的N沟道MOSFET，具有3种封装形式，采用VDMOSFET技术

TMA25N50HG、TMV25N50HG、TMW25N50HG是三款无锡紫光微电子推出的500V N沟道MOSFET，其漏源电压均为500V，漏极持续电流25A（TC=25ºC），耗散功率最大208W，工作结温-55~+150℃，具有三种封装TO-220F，TO-3PN和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

2020-12-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】TMA18N20HG~TMP18N20HG系列200V N沟道MOSFET，连续漏极电流可达18A

TMA18N20HG,TMD18N20HG和TMP18N20HG是无锡紫光微推出的系列200V N沟道MOSFET。系列MOSFET符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2020-10-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列，适用于PFC、SMPS、UPS等领域

HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造，适用于需要高功率密度和出色效率的应用中，如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。

2023-05-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET，漏源电压650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC）

TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET，其漏源电压均为650V，漏极持续电流20A（TC=25ºC），耗散功率最大120W，工作结温-55~+150℃，具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

2020-12-13 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力

无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。

2023-02-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

TMA8N50H、TMP8N50H 500V N沟道MOSFET

本资料介绍了两款500V N-Channel MOSFET器件，TMA8N50H和TMP8N50H。这些器件采用垂直电流流过设计，为电压控制型元件。它们具有快速开关、高输入阻抗、低驱动功率和良好的频率特性，特别具备负温度系数。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、热阻参数和应用领域。

无锡紫光微 - 500V N-CHANNEL MOSFET,500V N沟道MOSFET,TMA8N50H,TMP8N50H,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

TMA9N20H、TMP9N20H 200V N沟道MOSFET

本资料介绍了两款200V N-Channel MOSFET器件，TMA9N20H和TMP9N20H。这些器件采用垂直电流流过设计，为电压控制型设备。它们具有快速开关、高输入阻抗、低驱动功率和良好的频率特性，特别具备负温度系数。资料提供了详细的电气特性和热阻数据。

无锡紫光微 - 200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,TMP9N20H,TMA9N20H,电机控制,功率因数校正(PFC),开关模式电源(SMPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS),MOTOR CONTROLS

数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃

无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。

2023-01-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

TMA20N60H、TMP20N60H、TMV20N60H 600V N沟道MOSFET

本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TMA20N60H、TMP20N60H和TMV20N60H三种600V N-Channel MOSFET器件。这些器件是一种垂直电流流过的高压控制型双扩散器件，具有快速开关、高输入阻抗、低驱动功率等特点，适用于多种电源转换应用。

无锡紫光微 - 600V N-CHANNEL MOSFET,600V N沟道MOSFET,TMA20N60H,TMP20N60H,TMV20N60H,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】TMA6N60HG/TMD6N60HG/TMU6N60HG 600V N沟道MOSFET，连续漏极电流可达6A

TMA6N60HG,TMD6N60HG,TMU6N60HG是无锡紫光微推出的系列600V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET分别采用了TO-220F、TO-252和TO-251封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2020-08-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF，耗散功率最大值为65W

TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

2022-12-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

TMA8N90H、TMP8N90H 900V N沟道MOSFET

本资料介绍了两款高压N沟道MOSFET器件，TMA8N90H和TMP8N90H，由无锡紫光微电子公司生产。这些器件适用于功率因数校正（PFC）和开关模式电源（SMPS），具有快速切换能力和改进的dv/dt能力。

无锡紫光微 - 900V N沟道MOSFET,900V N-CHANNEL MOSFET,TMA8N90H,TMP8N90H,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】4款600V的N沟道MOSFET TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H是无锡紫光微电子推出的4款600V的N沟道MOSFET。其具有开关速度快、100%雪崩测试的特点，可用于开关模式电源(SMPS)等应用。

2019-10-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】TMA6N100L, TMP6N100L N沟道MOSFET，漏源电压1000V，具有快速开关的性能特点

由无锡紫光微公司推出的TMA6N100L, TMP6N100L 两款N沟道MOSFET。其漏源电压1000V，具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能。两款产品的主要差异在于封装形式，具体请参照下图。主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。

2020-11-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务