【产品】200V N沟道MOSFET TMA/TMD/TMU5N20H，连续漏极电流最大额定值为5A
无锡紫光微电子有限公司是一家专注于集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试和先进半导体功率器件研发的集成电路设计企业，其推出了型号为TMA5N20H、TMD5N20H、TMU5N20H的三款N沟道MOSFET，分别采用TO-220F、TO-252、TO-251的封装方式，满足ROHS标准。
图：三款器件的外部封装图和内部电路图
本产品的漏源电压最大额定值为200V，连续漏极电流最大额定值为5A，漏源导通电阻最大值仅为0.6Ω（VGS=10V, ID=2.5A），栅源电压最大额定值为±20V，脉冲漏极电流最大额定值为20A，重复雪崩能量最大额定值为3.2mJ，单脉冲雪崩能量最大额定值为45mJ，雪崩电流最大额定值为3A，TMA5N20H的功耗低至17W，TMD5N20H与TMU5N20H的功耗均为46W，而三款器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。
N沟道MOSFET TMA\TMD\TMU5N20H的特点：
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt功能
N沟道MOSFET TMA\TMD\TMU5N20H的应用：
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
热阻信息：
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