【选型】SiC MOSFET的性能优劣对比
随着电力电子的发展，SiC作为一种宽禁带半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。这些特性决定了以SiC为衬底的Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的关键。
目前常见的SiC Mosfet以CREE公司和R公司为主，这里以CREE和R公司的1200V/20A MOSFET为例，列举了CREE公司与R公司的SiC Mosfet管的部分电气参数以及相关测试波形，来突出相关的优劣势。
表1：C2M0080120D和SCH2080KE主要参数对比
通过表格性能对比，可以看出，C2M0080120D在三个方面优于SCH2080KE。
1）极其低的导通电阻RDS(ON)，导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作；
2）SiC Mosfet管具有Si Mosfet管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的切换速率；
3）更禁带宽度材料，在相同结温下通流能力更强。
C2M0080120D和SCH2080KE相关测试波形对比如下图所示。
图2：C2M0080120D和SCH2080KE效率测试对比
图3：C2M0080120D和SCH2080KE温度测试对比
通过测试性能对比，可以看出，C2M0080120D明显优于SCH2080KE。
1）在驱动电压18V、2V，开关频率为100kHz的情况下，在相同规格情况下C2M0080120D带来的效率提升明显优于SCH2080KE。
2）在同等条件下工作，相同规格的C2M0080120D的温升明显低于SCH2080KE。
想了解更多的关于CREE的产品信息和采购信息请联系世强。
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