【产品】碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，额定电压为1700V，1 Ohm
2018年9月24日，LITTELFUSE推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。碳化硅(SiC) MOSFET LSIC1MO170E1000 额定电压为1700 V，1 Ohm，采用TO-247-3L封装。 最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000实物图
碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。
“此产品可改善现有应用，并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT，MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”
碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000功能与特色:
• 专为高频、高效应用优化
• 极低栅极电荷和输出电容
• 低栅极电阻，适用于高频开关
• 在各种温度条件下保持常闭状态
• 超低导通电阻
碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000应用:
• 太阳能逆变器
• 开关式电源
• UPS
• 电机驱动器
• 高压DC/DC转换器
• 感应加热
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luose Lv8. 研究员 2018-10-25学习了 -
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咿咿呀呀 Lv4. 资深工程师 2018-10-22学习了 -
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承毅 Lv8. 研究员 2018-09-11学了 -
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灵风 Lv7. 资深专家 2018-09-11力特也出SIC开关管了，1700V的有规格书吗？学习一下 -
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jishizhong Lv9 2018-09-111ohm有点大了 -
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terrydl Lv9. 科学家 2018-09-11不错
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