用氮化镓打造绿色高效新世界——英诺赛科携氮化镓新品及创新方案亮相Electronica 2022
始于1964年的慕尼黑国际电子元器件博览会（Electronica）是全球电子元器件领域规模最大、影响最广的盛会之一，是电力电子企业及相关行业人士的重要展示与交流平台。Electronica 2022 以“推动可持续发展”为主题，探讨电子行业在未来社会的发展，以及向全电气社会的过渡中行业应该如何发挥至关重要的作用。
为期4天的展会汇集了来自48个国家及地区的2144家参展商，吸引了100个国家和地区的7万观众参加了展会。其中64%的参展商来自德国以外的国家和地区。来自中国的参展企业有200余家。
作为全球唯一一家同时量产高压和低压GaN的IDM企业，英诺赛科拥有领先于全球的8英寸硅基氮化镓产能，始终致力于用氮化镓打造绿色高效新世界。在本次Electronica 2022展会现场，英诺赛科也从器件、应用方案及终端产品三个方面全面展示了氮化镓的最新技术及其在市场上的进展，吸引大量关注。
新品亮相
INN650D080BS：650V GaN
基于上一代产品迭代的INN650D080BS，符合JEDEC认证的新型650V GaN HEMT产品，典型RDS(on)值为60mΩ，采用尺寸为8x8的标准DFN封装。据英诺赛科欧洲市场负责人Dr. Marcon介绍，目前比利时鲁汶大学/EnergieVille正在用这款产品开发1KW 以上的400V双桥转换器（DAB转换器）；同时，瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所也正在用INN650D080BS开发11KW/850V多电平转换器项目。
INN040W048A：40V BiGaNTM
INN040W048A支持双向开关，采用WLCSP 2x2封装，体积十分小巧。是全球首款导入手机内部的GaN芯片，用于OPPO/Realme智能手机的电池管理系统，跟传统设计使用的back-to-back MOSFETs相比，INNO040W048A大大节省手机内部空间，降低发热峰值，实现了体积缩小64%，峰值功率发热降低85%。让手机在充电过程中更高效，更安全。
INN100W032A：100V GaN
INN100W032是一颗耐压100V，最大导通电阻3.2mΩ的GaN芯片，与导通电阻近似的Si MOSFET相比，其栅极电荷仅为Si MOSFET的20%，Ciss仅为Si MOSFET的40%，同时封装尺寸仅为3.5×2.13（mm），与传统的DFN5×6相比，占板面积可以缩小75%。该产品已荣获2022年度全球最佳功率半导体器件荣誉。
除了以上重点介绍的产品之外，现场也展示了650V TOLL封装的30mΩ/80mΩ高压氮化镓器件，650V DFN封装的140mΩ/190mΩ/240mΩ/350mΩ/480mΩ等高压氮化镓器件，以及40V 1.5mΩ，150V 7mΩ等低压氮化镓器件。
新芯方案
600W 电源模块：48V-12V
600W 48V-12V电源模块采用全桥LLC架构，功率密度2100W/in³，效率可达98%，尺寸仅为36*26*7（mm）。能够为数据中心、通信和储能电源提供高性能的解决方案。
2.4KW双向DC/DC：48V-12V
2.4W电源模块采用双向4相Buck/Boost架构，功率密度为61.5W/in³，Buck工况下满载效率（2400W）可达97.3%，Boost工况下满载（2200W）可达96.5%，与行业主流Si方案相比，提升了1.5%。能够为轻混或数据中心提供高效解决方案。
240W All-GaN：PD 3.1
针对PD3.1开发的240W全氮化镓方案，采用图腾柱PFC+LLC拓扑的应用参考设计，峰值效率达96.7%，尺寸仅为一张银行卡大小，可以支持通信电源、电动工具、笔记本电脑等应用。
除此之外，现场还展示了采用40V InnoGaN功率器件的150W升降压转换器，基于INN650D140A器件的紧凑型300W PFC+LLC电源，适用于服务器及通信电源的高功率密度的2KW PSU PFC+LLC电源等，这些方案都体现了英诺赛科产品在引领功率市场朝着更高效、更节能的方向发展。
在此次德国慕尼黑电子展现场，英诺赛科欧洲市场负责人Dr. Marcon 在研讨会上介绍了英诺赛科8英寸晶圆研发和氮化镓技术的最新进展，重点展示氮化镓在40V，100V，650V产品的应用及高效解决方案。并与行业内知名企业共同参与电力电子新闻论坛，共同讨论电力电子行业的发展趋势与未来展望。
同时英诺赛科还在媒体采访中谈到，在高频切换应用上，氮化镓具备高转换效率、高击穿电压等特性，能够设计出更高效率、更高功率密度、更小体积的产品，与硅相比有绝对的优势。同时英诺赛科的研发和生产能力已经处于世界领先水平，英诺赛科有足够的信心引领氮化镓市场的未来。
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本文由星晴123转载自英诺赛科公众号，原文标题为:“芯”动态 | 英诺赛科亮相 Electronica 2022，展示氮化镓新品及创新方案，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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型号- CDFG6517N,CDF56G7032N,CDF56G6517N,CDF56G6511N,CCSPG0420N,CCSPG1510N,CDFG6511N,CCSPG1060N,CDFG6558N,CCSPG0450N,CCSPG1560N
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,BD900N1W,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,CSL1901 系列,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD933N1,BD1421XG-LA 系列,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXYNX 系列,BD1421X-LA 系列,CSL1901DW,QH8KXX 系列,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BM2P060LF-Z,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,REFPDT007-EVK-001,BD1421XG-LA,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFS 系列,BD9XXN1 系列,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,BD950N1,RB068VWM100,RFL,R60XXYNX,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM2SC12XFP2-LBZ 系列,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD900N1,BD933N1G-C,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,SH8KXX 系列,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,SH8MX5 系列,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT3017AL,BD1421XFVJ-LA,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,RFL 系列,R6013VND3,BM2P06XMF-Z 系列,R6009RND3,R6077VNZ,BM6437X 系列,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,RFS30TS6P,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,BD9F500QUZ,RLD90QZWX 系列,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,R60XXVNX 系列,REFPDT007-EVK-001C,LTR10,BD950N1WEFJ-C,SCT3030AL,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 系列,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGW00TS65CHR,BM2LEXXXFJ-C 系列,RFK 系列,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R60XXRNX 系列,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,REFPDT007,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,RB168VWM150,R60A4VNZ4,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD1421XFVJ-LA 系列,BD48HW0G-C,BM2P06XMF-Z,RBR2VWM40A,BD9XXN1,R6077VNZ4,RGWXX65C,BM1390GLV-Z,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,SCT4036KR,RFL30TS6D,BM2LEXXXFJ-C,BD900N1WEFJ-C,RLD90QZWX,BD7XXL05G-C 系列,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,BD9G500EFJ-LA,SCT4062KE,GNE1040TB,LTR10 系列,BM64374S-VA,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,BD8758XYX-C,SH8KC6,BV1LEXXXEFJ-C 系列,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,RGWXX65C 系列,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,RB068VWM-40,SH8KB6,RLD90QZWA,RLD90QZW8,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RFL30TZ6S,RLD90QZW5,PSR系列,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
SiC和GaN市场，正在被重塑
在不同的驱动因素下，SiC和GaN继续保持着自 2018-2019 年开始的快速增长势头。最初，颠覆性汽车制造商特斯拉在其逆变器中采用了SiC。但现在，另一个趋势正在重塑电动汽车 (EV) 市场，即快速800V电动汽车充电，从而缩短充电时间。SiC是推动因素，具有良好的性能和不断发展的供应链。
行业资讯 发布时间 : 2024-07-24
GAN器件的应用场合一般有哪些？
GAN FET是新一代高开关频率的功率器件，其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源，如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET，可参考链接：Innoscience，EPC
技术问答 发布时间 : 2019-11-01
【产品】EPC新推350V氮化镓功率晶体管EPC2050，脉冲输出电流26A，较等效硅器件小20倍
EPC氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350V、80mΩ 最大 RDS(on)和26A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。
新产品 发布时间 : 2022-04-08
【应用】EPC与立锜科技携手推出内置GaN FET的小型化140W快充解决方案，实现超98%效率
EPC和立锜科技携手推出新型参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204，可实现超过98%的效率；可将12V~24V的输入电压转换为5V~20V的稳压输出电压，并提供高达5A的连续电流和6.5A的最大电流。
应用方案 发布时间 : 2023-01-16
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品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
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