第三代半导体行业领军企业—基本半导体完成C1轮融资,加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程

2021-09-26 基本半导体
碳化硅肖特基二极管,碳化硅MOSFET,车规级全碳化硅功率模块,基本半导体 碳化硅肖特基二极管,碳化硅MOSFET,车规级全碳化硅功率模块,基本半导体 碳化硅肖特基二极管,碳化硅MOSFET,车规级全碳化硅功率模块,基本半导体 碳化硅肖特基二极管,碳化硅MOSFET,车规级全碳化硅功率模块,基本半导体

2021年9月17日,深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资,由现有股东博世创投、力合金控,以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。本轮融资将继续用于加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程。


关于基本半导体

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、南京、无锡以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士洛桑联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。


基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平,产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。


基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。公司累计获得专利授权百余项,荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由犀牛先生转载自基本半导体,原文标题为:基本半导体完成C1轮融资,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关,建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线

国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,经过集智攻坚,团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线,在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术,形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。

原厂动态    发布时间 : 2024-03-04

蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展,重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案

2024年7月8日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位,重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM,以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-11

爱仕特携新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案亮相SEMI-e深圳国际半导体展

作为业内资深的碳化硅功率器件及应用方案提供商,爱仕特受邀参加此次展会,将在4号馆【4A30-8】展位进行创新成果展示。展品范围涵盖650~3300V的碳化硅MOSFET(包括最新3300V大电流产品)、650~1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-04

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍  -  NOVUSEM PPTX 中文 下载

科普视频 | 碳化硅肖特基二极管的额定电流是如何定义出来的?

使用碳化硅肖特基二极管可以减少损耗,快速稳定实现器件的正反切换,提高产品的效率和降低产品噪音,同时易于改善EMI。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家科普碳化硅肖特基二极管器件的重要特性参数——额定电流是如何定义出来的?

技术探讨    发布时间 : 2024-10-14

派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南  -  派恩杰 PDF 中文 下载

【招聘】大客户销售,负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品

负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业;全品类1000+家国内外大牌产品线,数万家行业top级客户资源;全球领先的研发及采购服务平台,国高企业,专精特新企业,行业未来独角兽,发展机遇超多!

招聘信息    发布时间 : 2024-08-09

碳化硅MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封装中开关过程 ∣ 视频

相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。

技术探讨    发布时间 : 2024-10-03

【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,工作结温高达175℃

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

产品    发布时间 : 2023-11-27

【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性

在实际应用中,基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器件的驱动设计。

设计经验    发布时间 : 2022-09-01

B2M030120Z SiC MOSFET

型号- B2M030120Z

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.0  - 2024-07-18 PDF 英文 下载

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

B2M040120Z SiC MOSFET

型号- B2M040120Z

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.1  - 2023-08-10 PDF 英文 下载 查看更多版本

B2M030120H SiC MOSFET

型号- B2M030120H

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.0  - 2024-05-28 PDF 英文 下载

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥10.0000

现货: 245

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥14.0000

现货: 100

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥11.6000

现货: 90

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥12.2000

现货: 90

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥18.8000

现货: 80

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥23.0000

现货: 80

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥21.8000

现货: 72

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥15.4000

现货: 70

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥42.8000

现货: 70

品牌:基本半导体

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥14.8000

现货: 70

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:UnitedSiC

品类:SiC Schottky Diode

价格:¥17.3229

现货:50

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SIC SCHOTTKY DIODE

价格:¥39.9716

现货:50

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE

价格:¥46.2973

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

价格:¥22.0416

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

价格:¥89.0586

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

价格:¥44.8863

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:CATHODE SILICON CARBID

价格:¥45.2432

现货:30

品牌:UnitedSiC

品类:SiC Schottky Diode

价格:¥28.0014

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

价格:¥44.4401

现货:30

品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SIC SCHOTTKY DIODE

价格:¥21.2693

现货:30

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

贴片LED二极管/灯珠定制

可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。

最小起订量: 30000 提交需求>

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面