瞻芯电子首次携全系列车规级碳化硅器件、驱动芯片产品,亮相2022全球xEV驱动系统技术暨产业大会

2022-09-19 瞻芯电子公众号
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瞻芯电子将于2022年9月21日-22日,首次携全系列车规级碳化硅器件、驱动芯片产品,亮相2022全球xEV驱动系统技术暨产业大会,并为现场客户介绍产品特性、应用技术及相关案例。欢迎业界朋友莅临15号展位,参观交流。


新能源汽车中的碳化硅(SiC)应用

碳化硅(SiC)凭借优异的材料特性,已广泛应用在高温、高频、高耐压等多领域,特别是新能源汽车(xEV)领域,现已成为SiC最大的下游应用市场。市场也普遍将目光锁定在新一代SiC功率器件,因为车规级SiC器件是推动电驱系统向高电压平台(800-1000V)升级的核心器件,有助于解决电动汽车里程焦虑和充电速度慢两大核心痛点。


为进一步提升电动汽车动力性能,全球各大车企已普遍布局800V-1000V电压平台xEV,而国内主流车企也陆续推出了多款搭载碳化硅(SiC)产品的高性能车型,这也加快了SiC功率器件在xEV应用中的渗透,SiC具体应用在车用领域的主逆变器、车载充电器、快速充电器、光伏逆变器等模块。


目前瞻芯电子自研的碳化硅(SiC)MOSFET、SiC专用栅极驱动芯片已批量“上车”应用。


上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。瞻芯电子从海内外齐集了一支经验丰富的高素质核心团队,致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。


瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,2022年7月建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂,将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

车规产品介绍

经过多年的积累,瞻芯电子现已研发量产了一系列按车用标准设计的产品,包括:650V-1200V SiC MOSFET,1200V碳化硅肖特基二极管,SiC专用栅极驱动芯片等,其中多款已获车规级(AEC-Q)认证,并批量“上车”应用。车规级碳化硅(SiC)功率器件产品,如下表:


IV1Q12017BAG

这是一款1200V 17 mΩ SiC MOSFET裸芯片,专为汽车电子要求而设计的高可靠性、高品质和高性能器件,具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点,最大漏源电流111A@25℃,工作温度范围是-55℃-175℃,非常适合新能源汽车主电机驱动,能显著提高主驱系统的功率密度,减少磁性组件体积和重量,简化电路设计,从而显著减少系统总成本。此外,该芯片正面金属采用镍钯金,支持双面散热封装,可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。


栅极驱动芯片产品


IVCR1402DPQR

这是瞻芯电子首创的一款碳化硅(SiC)MOSFET专用的比邻驱动®芯片,它的设计紧凑,采用SOIC-8封装,是一款高速、智能的栅极驱动芯片,仅在 8 引脚封装上集成负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报等一系列的关键功能,能够高效、安全地驱动 SiC MOSFET,并兼容IGBT驱动能力。IVCR1402DPQR已通过车规级(AEC-Q100)认证,并大批量“上车”应用。


IVCR1412SR

这也是瞻芯电子首创的一款SiC MOSFET专用的比邻驱动®芯片,采用了极紧凑的SOT23-6封装,且可调开通峰值上拉电流,便于优化SiC MOSFET开通速度。因无需栅极电阻,又能贴近功率管安装,可将驱动环路杂散电感最小化,动态均流效果提升明显。同时内部集成了负偏压关断,支持主动米勒效应抑制功能,能提供可靠的SiC MOSFET关断。


IVCO1A0X

这是一个系列的10A单通道隔离式栅极驱动芯片,具有3.75kVrms 隔离度,能够安全、有效地驱动SiC/Si MOSFET 和Si IGBT。它具备低传播延迟和紧凑的 SOIC-8 封装,能让MOSFET以数百kHz频率开关操作;较宽输出VDD范围,可高效地驱动器件开关;集成的UVLO 保护可确保在异常时,将输出保持在低电平;输入VDD支持大多数数字控制器。

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本文由玉鹤甘茗转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:活动预告 | 瞻芯电子将携车规级SiC功率器件、驱动芯片亮相2022xEV电驱动大会,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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