【应用】N沟道增强型MOSFET 2N7002 TR PBFREE在智能机器人中的应用

时间： 2019-03-29 来源：Central

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作为智能机器人必不可少的关键零部件——伺服系统是以变频技术基础发展起来的产品，它通常由伺服电机以及伺服驱动器组成。伺服系统除了可以进行速度与转矩控制外，还可以进行精确、快速、稳定的位置控制。机器人对关节电机和驱动器的要求非常严格，最重要的就是快速响应性。电机从获得指令信号到完成指令所要求的工作状态的时间要短。响应指令信号的时间愈短，伺服系统的灵敏性愈高，快速响应性能愈好。

因此，作为控制驱动器的MOS开关，它的开关速度极为重要。这里，为大家带来Central Semi (美国中央半导体公司)推出的2N7002 N沟道增强型MOSFET，该MOSFET采用N沟道DMOS工艺制造，采用小型SOT-23表面贴装封装，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。

2N7002实物图

2N7002的栅极总电荷典型值仅为0.592nC，导通时间/关断时间ton/toff均为20ns（VDD=30V, ID=200mA, RG=25Ω, RL=150Ω），开关损耗较低，具有极高的开关速度，完全满足控制高速驱动器的要求，达到伺服系统快速响应的设计目标。同时，在TA=25℃的标准下，2N7002 NMOSFET Vds最大值为60V，Vdg最大值也为60V，Vgs最大值为40V；工作持续电流最大为115mA，瞬间工作电流可到800mA。2N7002的功耗为350mW，功耗较低，满足低功耗的设计要求，工作温达到-65℃~150℃范围，适应智能机器人的复杂应用环境。

2N7002其他参数

目前，世强已全面代理Central Semi (美国中央半导体公司)的产品，如果你想了解更多的产品信息或使用方法，请留言或电话联系世强400-887-3266。

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