【应用】威科1200V IGBT模块LG09F08助力200KW储能PCS设计，开关频率高达16kHz

【应用】1200V/200A三电平飞跨电容IGBT模块助力制氢电源设计，损耗降低20%

本文重点介绍威科（Vincotech）三电平飞跨电容型IGBT模块10-PY07FCA200RG-LQ45L60Y用于制氢电源，后级DCDC进行降压输出电解水制氢，采用多电平IGBT模块具有器件的应力更低，同时输出滤波器也会减小、可实现高效率、高功率密度设计，具有更好的动态性能，总体损耗降低20%。

1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块

基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。

【应用】威科15A/1200V的IGBT模块助力风电变桨变频器，电流余量大，散热性能更好

风电变桨变频器应用中，系统里有后备超级电容，采用交错buck电路进行充电，超级电容电压从0V-480V，本文推荐Vincotech IGBT模块V23990-P627-F89-PM，采用H桥结构，高速IGBT，超高开关频率设计，最大工作电压1200V。

模块化储能PCS技术“大比武”，功率IGBT模块是核心

本文讨论了模块化储能PCS技术在储能领域中的快速发展和应用，强调了其因分布式场景多样化和储能安全、经济需求而得到重视。文章还详细介绍了部分企业的模块化储能PCS产品和技术特点，此外，文章还提到了模块化PCS技术在应对系统能量密度提升、削峰填谷、电力稳定等方面的优势。整体而言，模块化储能PCS技术正逐渐成为储能领域的重要发展方向，为分布式能源和智能电网的发展提供了有力支持。

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。

【经验】如何正确理解IGBT模块规格书中的电流参数？

IGBT规格书一般会给出ICnom、IC、ICRM、It(RMS)这几个电流参数。如何正确理解IGBT几个电流参数的定义和深层次的含义，本文将做详细的讲解。

【选型】适用于50KW储能的1200V/200A的I型三电平IGBT模块

目前市场上50KW的储能产品，基于高效理念，通常需提高整机的开关频率（最高可达50kHz），主功率电路多采用I型三电平拓扑。Vincotech高集成度I型三电平的NPC IGBT模块10-FY07NPA200SM02-L366F08（1200V/200A）的IGBT模块，已经成功的助力50KW高效储能产品的设计。

世强硬创获索力德普授权代理，大功率IGBT模块实现10PCS+并联使用

索力德普产品广泛应用于电焊机、感应加热、光伏领域、光伏逆变器、储能变流器、大功率变流器、电机/伺服驱动器、不间断电源、高频开关应用、风电变流器、新能源汽车等领域。

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。

索力德普-斯达/英飞凌IGBT模块对照表

描述- 电压：1200V,1700V；电流：15A~900A；封装：34mm,62mm,EconoDUAL3,Easy 1B；拓扑结构：半桥，七单元

型号- S04030011,S04010004,GD75HFT170C1S,S04010027,S04030016,S04010020,FF300R17KE4,FP150R12KT4,GD100HFT170C1S,FF200R17KE4,S0402G0047,FF300R12KT4,GD100HFT120C1S,S04050019,FF150R17KE4,S0402G0040,S04050017,S04020033,S04050018,S04050015,S0402G0060,FF600R12ME4,GD150HFT120C1S,FF200R12KT4,FF450R12ME4,GD75HFT120C1S,S04010019,S04010018,GD50HFT120C1S,FF450R12KT4,FF900R12ME7_B11,S04010014,FP15R12W1T4,S1405G0002,FF600R17ME4,S04020005,S04020006,FF450R17ME4,S04020022,FP75R12KT4,S04060001,FF150R12KE3G

【产品】阻断电压BV＞770V的ACP-2 I型高效三电平功率模块，助力储能产品实现更高功率密度和效率

阿基米德半导体推出了系列化三电平IGBT功率模块助力工商业储能产品实现更高的功率密度，更高的充放电效率。目前在静态性能上该产品阻断电压BV ＞770V， VCEsat值低至1.35V，而行业一般在1.7v, 优化后导通损耗降低近21%。

阿基米德半导体三电平IGBT模块成功中标许继电气电力电子SVG/PCS等项目

近日，阿基米德半导体ACF-2 650V 300A 三电平IGBT模块成功中标许继电气电力电子SVG，储能PCS等项目，本次中标预示着阿基米德半导体的三电平IGBT模块产品性能媲美国际大厂，在光储充市场获得越来越多客户的认可并被选用。