【产品】60V/200A的N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，漏源导通电阻典型值2.8mΩ

时间： 2022-04-29 来源：锐骏半导体

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RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有高雪崩等级，坚固耐用，可靠性高。该产品漏源电压60V，连续漏极电流高达200A（V_GS=10V，T_C=25℃），漏源导通电阻典型值低至2.8mΩ（V_GS=10V，I_DS=40A）。该产品凭借低导通电阻、高雪崩等级以及坚固可靠等特点，可广泛应用于汽车应用、高速功率开关以及开关电源的高效同步整流等应用领域。

图1 产品外观图以及内部电路图

产品特征：

●漏源电压60V，连续漏极电流200A

漏源导通电阻2.8mΩ(典型值@V_GS=10V)

●高雪崩等级

●可靠且坚固耐用

●可提供无铅且绿色环保器件

产品应用：

●汽车应用以及其他各种应用

●开关电源的高效同步整流

●高速功率开关

绝对最大额定值：

备注：1、根据最大允许结温计算出的连续电流

2、脉冲宽度受限于安全工作区。

3、受T_Jmax限制， I_AS=60A, V_DD=48V, R_G=50Ω, Starting T_J= 25°C

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RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3