【选型】国产SiC二极管G3S06510A可PIN-PIN替代CREE的C3D10065A,漏电流更低
受疫情影响,国外的SiC器件供应遇到了不少压力,许多厂家为保证生产正常进行,开始寻找可以作为备份的国产产品。泰科天润是中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,自有完整的SiC器件生产线,是国产SiC器件的领先制造商。本文主要介绍泰科天润的SiC二极管G3S06510APIN-PIN替代CREE的C3D10065A。
C3D10065A是CREE公司生产的碳化硅肖特基二极管,具有与温度无关的开关性能,采用TO-220AC封装。
图1、C3D10065A
G3S06510A是泰科天润推出的同样具有肖特基结构的碳化硅二极管,采用TO-220AC封装。
图2、G3S06510A
通过对比发现G3S06510A和C3D10065A两个产品的封装一致,可直接替换使用。
接下来对比两个型号的核心参数:
C3D10065A在650V反向电压,175℃结温下最大漏电流为220uA,G3S06510A在同样测试条件下的漏电流为100uA,G3S06510A在该指标会优于C3D10065A。
C3D10065A在400V反向电压的条件下总电容为40pF,G3S06510A在同样测试条件下的总电容为71pF。C3D10065A在该指标会优于G3S06510A。因此可见两者的各有所长。
下面再就损耗这一点进行分析对比。由于采用肖特基的结构,反向恢复电流引起的关断损耗可以忽略,所以主要损耗为导通损耗。影响导通损耗的主要因素是导通电阻,C3D10065A的正向导通电压和电流的关系曲线如下:由图可见,在导通后VF-IF成线性关系,通过图中红色图框我们可以算出导通电阻Ron= 0.057Ω。
图3:C3D10065A的正向导通电压和电流的关系曲线
同样通过图计算可得到G3S06510A的导通电阻:Ron=0.055Ω。
图4:G3S06510A的正向导通电压和电流的关系曲线
由此可见,在正向导通损耗上,二者表现都很好,G3S06510A的导通电阻稍低一些。
综合进行了上面的对比分析后可知,常规的使用情况下C3D10065A和G3S06510A的性能旗鼓相当,而泰科天润的产品有更好的供货周期和供应,因此是替代C3D10065A的优秀选择。
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G3S06510A 碳化硅肖特基二极管
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泰科天润 - 碳化硅肖特基二极管,G3S06510A,开关电源,开关模式电源,不间断电源,电动汽车,风力发电,机车牵引,SMPS,混合动力汽车,光伏,电机驱动器
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
【方案】125kW(1500VDC系统)光伏逆变器优选器件方案
本方案基于 1500VDC 系统,提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块,内置全 SiC MOS 和二极管,以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构,耐压高达 2400V,在满足1500V 系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的 IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - IGBT模块,RTC,WIFI模块,驱动光耦,SIC场效应晶体管,SIC二极管,半导体制冷片TEC,干簧继电器,PCB导热材料,SIC MOSFET,接线端子,导热垫片,单片机,TVS,实时时钟,隔离芯片,相变材料,电流传感器,驱动IC,滤波磁环,MCU,TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K,光伏系统,1500VDC系统,光伏逆变器
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EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管,Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件,相比于分立器件方案,集成度高且寄生参数小,模块效率更高。
ISABELLENHUETTE,WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,CREE,NIPPON CHEMI-CON,MEIG,RENESAS,VINCOTECH,WOLFSPEED,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - IGBT模块,导热绝缘片,SIC肖特基二极管,WIFI模块,32位MCU,储能电容,SUB-G收发器,碳化硅MOSFET,PCB高导热材料,采样电阻,4G模块,隔离驱动光耦,蓝牙模块,导热垫片,安规电容,TVS,导轨端子,ZIGBEE无线SOC,LDO,IGBT单管,SIC MOSFET,电流传感器,NB-IOT模组,PTC,C4D10120D,T-FLEXHD300,SMBJ,BGM111,LXS,SMDJ,C2M1000170D,1812L,SLM750,SLM152,SC92,PS9402,TGARD500,30R,RBN40H125S1FPQ-A0,EFR32MG,PS9031,60R,LSIC2SD120E10CC,SMAJ,SMCJ,WDU,SMF,SI4438-C,WGM110,MKP,MLX91210,10-FZ12NMA040SH-M267F,2920L,BVS,EFM32JG,SGM2019,光伏系统,10KW三相光伏逆变器,10KW THREE-PHASE PV INVERTER,家用光伏发电系统,电源调整器,10KW三相电源调整器,光伏逆变器,三相电源调整器,三相光伏逆变器
砥砺前行!一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验;启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设;助力消费类快充、PC电源性能提升;赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。
【经验】如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
SIC二极管已经成为SI器件高压快恢复二极管的最佳替代产品。然而针对SIC二极管的可靠性参数VBR(反向击穿电压)评估,目前没有详细的标准可以参考评估,本文将结合泰科天润的SIC二极管产品G5S12030BM,讨论如何正确评估SIC二极管的VBR电压?
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
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