【产品】TMR1212双极磁开关集成隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,支持1kHz高频率响应,功耗低至1.5μA

2022-06-18 多维科技
双极磁开关,超低功耗双极锁存磁存储开关传感器,高灵敏度磁记忆TMR开关传感器,TMR1212 双极磁开关,超低功耗双极锁存磁存储开关传感器,高灵敏度磁记忆TMR开关传感器,TMR1212 双极磁开关,超低功耗双极锁存磁存储开关传感器,高灵敏度磁记忆TMR开关传感器,TMR1212 双极磁开关,超低功耗双极锁存磁存储开关传感器,高灵敏度磁记忆TMR开关传感器,TMR1212

TMR1212是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。与常规的磁开关相比,TMR1212 带有磁存储功能,在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化,并存储在磁存储单元中,上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1212采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1212通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1212以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1212采用封装形式为SOT23-3和TO92S,所对应的产品型为TMR1212S和TMR1212T。

产品参数

产品型号:TMR1212

兼容型号:—

类型:双极锁存

供电电压:1.8~5.5 V

功耗:1.5μA

工作模式:连续供电

敏感方向:X轴

B_op (Gs,25°C):45

B_rp (Gs,25°C):-45

输出接口:CMOS

封装形式:SOT23-3 TO92S

交付周期:In stock


产品特性

隧道磁阻(TMR) 技术

更低功耗1.5μA

1kHz高频率响应

双极锁存型开关

掉电磁存储

宽工作电压范

卓越的温度稳定性

优越的抗外磁场性能


典型应用

计量仪表(水表、气表、热量表)

固态开关

速度检测

线性及旋转位置检测

电梯门机双稳定开关


功能框图

管脚定义


极限参数

性能参数(TA=25℃)

磁特性(VCC=3.0V,TA=25℃)

注: 

1.磁存储工作磁场: 为了保证开关在掉电状态下能够探测并存储磁场极性,需要外磁场略大约工作点磁场,大于 60GS 的磁场能够确保开关的磁存储功能正 常工作并记忆工作点状态。 

2.磁存储释放磁场: 为了保证开关在掉电状态下能够探测并存储磁场极性,需要外磁场略大约释放点磁场,小于-60GS 的磁场能够确保开关的磁存储功能正 常工作并记忆释放点状态。

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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品牌:多维科技

品类:双极磁开关

价格:¥120.0000

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品牌:多维科技

品类:全极磁开关

价格:¥0.5333

现货:12,766

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