【产品】高压N沟道功率MOSFET器件CHT-NMOS40XX，工作温度高达+225℃，漏极电压达到40V

时间： 2022-04-29 来源：CISSOID

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高压N沟道功率MOSFET,CHT-NMOS-4005,CHT-NMOS-4010,CHT-NMOS-4020

CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司，其推出的高压N沟道功率MOSFET器件CHT-NMOS40XX，包括CHT-NMOS-4005、CHT-NMOS-4010和CHT-NMOS-4020；该系列产品采用TO254封装，可在极宽的温度范围内实现高性能，典型工作温度为-55℃~+225℃；在承受极高的温度情况下，同时可以保持较低的漏电流。漏极电压达到40V，栅源电压为0V~+5V，产品等效电路图如下：

产品特征

• 工作温度：-55℃ ~+225℃(Tj)

• 漏极电压高达40V

• 典型输出电流

CHT-NMOS-4005: 5A @ 25°C

CHT-NMOS-4010: 10A @ 25°C

CHT-NMOS-4020: 20A @ 25°C

• R_DSon

CHT-NMOS-4005: 0.65Ω @ 225°C

CHT-NMOS-4010: 0.36Ω @ 225°C

CHT-NMOS-4020: 0.25Ω @ 225°C

• V_GS=0V~+5V

• 栅源之间有内置的反向ESD二极管

• 可以在225℃温度下工作超过1000小时

• 提供TO254封装

产品应用

• 航空航天

• 石油和天然气

• 工业

• 汽车

绝对最大额定值

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