【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω

时间： 2019-11-16 来源：ROHM

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R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流最大额定值为±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，适用于开关类应用。

图1 R6011ENX产品图及内部电路图

R6011ENX采用TO-220FM封装形式，栅源电压最大额定值为±20V（静态）或±30V（交流，频率>1Hz），导通电阻最大仅0.39Ω，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。零栅极电压漏极电流IDSS最大为100uA（Tj=25℃），栅-源漏电流IGSS最大为±100nA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗。总栅极电荷典型值为32nC，可使器件更好满足高速电路设计。

此外，器件总耗散功率最大额定值为53W，提高了能源利用效率。其结温的最大额定值为150℃，工作结温和存储温度范围为-55~150℃，能够适应恶劣的工业环境。

R6011ENX功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

R6011ENX功率MOSFET应用领域：

开关类应用

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