【产品】专为高压开关设计的硅开关二极管CMXD2004S、CMXD2004SR，平均正向电流为200mA

时间： 2018-12-02 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的——CMXD2004S和CMXD2004SR是一款由双串联高压硅开关二极管组成，采用SUPERmini™SOT-26表面贴装封装，可配置为1200V开关二极管或桥式整流器，专为高压开关应用而设计。其具体实物图如图1所示。

图1.CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管实物图

CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管的峰值重复反向电压V_RRM为300V，反向连续电压V_R为240V时，平均正向电流I_O为200mA，连续正向电流I_F为225mA，电流I_R的最大值为100nA（V_R=240V），具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列功率损耗P_D的最大值为350mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流I_F为100mA时，正向压降V_F的最大值仅为1.0V。其封装尺寸和轮廓引脚图如图2所示。

图2.CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图

CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管的峰值正向浪涌电流I_FSM为4.0A（tp=1.0us），峰值正向浪涌电流I_FSM为1.0A（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流I_FRM为625mA，结壳热阻为357°C/W，结电容的典型值为5.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间t_rr为50ns(I_F=I_R=30mA, I_rr=3.0mA, R_L=100Ω)。

CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管的主要特性：

•重复峰值反向电压V_RRM为300V

•正向浪涌电流能力I_FSM为4.0A（tp=1.0us）

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•结壳热阻Θ_JA为357°C/W

•功率损耗P_D为350mW

•结电容的典型值为5.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)

•反向恢复时间trr为50ns(I_F=I_R=30mA, I_rr=3.0mA, R_L=100Ω)

•SOT-26表面贴装封装

CMXD2004S、CMXD2004SR硅开关二极管的主要运用领域：

•高压开关

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