【产品】额定漏-源电压1200V的 SiC MOSFET模块ASC300N1200MD3，系统具有紧凑、重量轻的特点

时间： 2022-11-18 来源：爱仕特

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爱仕特1200V SiC MOSFET模块 ASC300N1200MD3可进行高温高湿偏压操作，不仅超低损耗，还可进行高频运作，支持MOSFET的零关断尾电流，常闭、故障安全设备操作，具有易并联特点，采用铝碳化硅基板和氧化铝绝缘体。其系统紧凑、重量轻、高效，可在恶劣室外环境中安装，减少过电压保护，并降低了热需求和系统成本。

特性

高温高湿偏压操作

超低损耗

高频工作

MOSFET的零关断尾电流

常闭、故障安全设备操作

易并联

铝碳化硅基板和氧化铝绝缘体

系统优势

实现紧凑、重量轻、高效的系统

可在恶劣室外环境中安装

减少过电压保护

降低热需求

降低系统成本

包装 151mmx103mm x 35.2mm

绝对最大额定值（TC = 25℃，另有规定除外）

电气特性(TC = 25℃ 另有规定除外)

热特性

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