【产品】规格为55A/60V的N沟道MOSFET SK50N06A,适用于汽车和直流电机控制等
时科推出的N沟道MOSFET SK50N06A,采用专有的新沟槽技术,低栅极电荷,快恢复体二极管,使其特别适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等应用。绝对最大额定值方面,在TC=25℃时,SK50N06A的连续漏极电流达55A,在TJ=+25℃~+175℃时,漏-源电压达60V。其封装及引脚如下图所示。
一般特征
● 专有的新沟槽技术
● RDS(ON)( 当 VGS=10V) 典型值=13.5mΩ
●低栅极电荷使开关损耗最小化
● 快恢复体二极管
应用
● 汽车
● 直流电机控制
● D类放大器
绝对最大额定值( TC=25°C,除非另有说明)
标注:
[1] TJ=+25℃~+175℃。
[2] 重复额定值; 脉冲宽度受最大结温限制。
[3] 脉宽≤380µs; 占空比≤2%。
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