【产品】规格为55A/60V的N沟道MOSFET SK50N06A，适用于汽车和直流电机控制等

时间： 2022-09-20 来源：时科

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时科推出的N沟道MOSFET SK50N06A，采用专有的新沟槽技术，低栅极电荷，快恢复体二极管，使其特别适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等应用。绝对最大额定值方面，在T_C=25℃时，SK50N06A的连续漏极电流达55A，在T_J=+25℃~+175℃时，漏-源电压达60V。其封装及引脚如下图所示。

一般特征

● 专有的新沟槽技术

● R_DS(ON)( 当 V_GS=10V) 典型值=13.5mΩ

●低栅极电荷使开关损耗最小化

● 快恢复体二极管

应用

● 汽车

● 直流电机控制

● D类放大器

绝对最大额定值（ T_C=25°C，除非另有说明）

标注：

[1] T_J=+25℃~+175℃。

[2] 重复额定值；脉冲宽度受最大结温限制。

[3] 脉宽≤380µs；占空比≤2%。

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