【选型】LONTEN中低压SGT MOS最高可支持30管并联，推荐用在电动二三轮车的电池BMS和电驱上

时间： 2023-08-26 来源：LONTEN 微信公众号

技术问答

一、电动二三轮车介绍
近年来，随着新国标的施行以及平衡车、滑板车、共享电单车等新应用场景的出现，促使电动二三轮车市场迎来了新的发展热潮。

电动两轮车：分为电动自行车、电动轻便摩托车和电动摩托车。

电动自行车是指以车载蓄电池作为辅助能源，具有脚踏骑行能力，能实现电助动或电驱动功能的两轮自行车。

电动轻便摩托车是指由电力驱动，其最高设计车速不大于50km/h，其电机的最大连续额定功率总和不大于4kW的摩托车。

电动摩托车是指由电力驱动，其最高设计车速大于50km/h，其电机的最大连续额定功率总和大于4kW的摩托车。

电动三轮车是指用以电瓶为动力，电机为驱动的拉货或拉人用的三轮运输工具。电动三轮车以其适用性强，机动灵活，维护简单，维修方便，价格低廉等优点，广泛应用于家庭、城乡、个体出租、厂区、矿区、环卫、社区保洁等短途运输领域。

电动平衡车是指通过自身的整体协调性来保持平衡，而且体积小、噪音小、使用便捷，不需要通过双手来把控，作为一种新出现的、由动力装置驱动、用于人员乘用的轮式交通工具而受到了许多人的青睐，是现代人用来短途代步、进行休闲娱乐的一种新型绿色环保产品。

二、市场分析
国内市场两轮电动车销量极大的受地方新国标政策的执行力度影响。2022年CR5占据市场71.2%。据统计，2022年中国两轮电动车销量约5010万辆，同比增长15.2%，预计2023年销量将达到5400万辆。电动平衡车具有携带方便、驾驶简单、旋转灵活及绿色环保等诸多优势，逐渐成为青年群体的出行新选择，既方便了短途出行，又解决微交通痛点问题，与公交系统、停车场、住家、办公区接驳成为完整的循环交通链条，有效缓解交通压力的同时也实现了绿色出行的倡导。

据统计，我国电动平衡车市场需求在2017年的280万辆增长到2022年的607万辆，预计2023年电动平衡车需求量为757万辆。电动三轮车行业市场容量目前整体仍处于上升趋势，市场发展前景较好。2017-2022年我国电动三轮车产量从1034万辆增长至1404万辆，CAGR为6.31%。预计2023年电动三轮车产量达到1500万辆。

三、产品应用及优势

电动两轮车BMS架构分成四种：一个区别是充放电MOS是置于高边还是低边；另一个区别是充放电是串联连接还是并联连接。目前二三轮车BMS使用底边串联架构，驱动电路简单。

电动二三轮车电驱使用传统的H6桥，主流采用FOC控制方式，具有转矩波动小、效率高、噪声小、动态响应快的特点。电机堵转电流>2000A，对MOS的EAS有较高的要求。

针对电动二三轮车市场，龙腾半导体（LONTEN）中低压SGT MOS，其产品优势：

针对H6拓扑，优化体二极管，降低反向恢复损耗;

优化Qg和Coss/Ciss比值，降低驱动损耗，提升驱动抗干扰能力;

高开启电压Vth、Vth一致性高，最高可支持30管并联;

优化开关速度，获得更好的EMI特性;

优化EAS，增强抗雪崩能力;

使用分裂栅技术，更低的Rdson。

以上优点，使得龙腾半导体（LONTEN）产品在电动二三轮车的电池BMS和电驱上的应用更简单。

四、龙腾半导体（LONTEN）电动二三轮车MOSFET选型表
针对48/60V电池通常选85V耐压的MOS，60/72V电池通常选100V耐压的MOS。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由上山打老虎转载自LONTEN 微信公众号，原文标题为:产品资讯 | SGTMOS在电动二三轮车上的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

龙腾半导体超结MOSFET满足照明电源领域需求，优化EAS，增强抗雪崩和抗浪涌能力

照明是运用多种光源来照亮工作、生活场所或特定物体的方法。业界对超高能效的LED照明拓扑结构兴趣日浓，期望在更大功率的100W至250W LED区域照明应用中提供高能效。本文介绍龙腾半导体龙腾半导体的高压SJ MOS在LED照明市场应用产品优势。

器件选型发布时间 : 2023-10-18

【选型】LONTEN推出的SGT系列、Trench系列MOSFET，为电动工具设计减少功耗提高效率并优化体积提供支持

从工业级、专业级到DIY级，电动工具的产品种类及规格已经非常丰富并还在不断增长，为此电动工具厂商需要更多的产品规格获取竞争力。LONTEN推出的SGT系列、Trench系列MOSFET为设计者减少功耗提高效率并优化体积提供支持。

器件选型发布时间 : 2023-03-03

助力国内高端功率器件发展，超结MOSFET厂商龙腾半导体授权世强硬创代理

龙腾半导体作为国内首家、国际第二家把超结MOSFET技术应用到200V~300V电压范围的企业，并提供高压平面MOSFET、中低压沟槽MOSFET、中低压SGT MOSFET、IGBT等产品。

公司动态发布时间 : 2023-03-17

LONTEN超结MOSFET选型表

提供LONTEN超结MOSFET选型：VDS：250V~800V；ID(A)：2~100A；VGS(V)：20~36.5；封装包括：DFN5x6、DFN8×8、TO-220、TO-220F 、TO-247、TO-252、TO-262、TO-263等,具有极低的导通电阻和栅极电荷，显著降低导通和开关损耗，特别适用于高功率密度和高效率电力电子变换系统

产品型号	品类	VDS(V)	ID(A)25℃	RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)	RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)	Qg(nC)(VGS=10V)	VGS(V)	VGS(th)(V)	Package
LSNC65R180GF	MOSFET	650	20	160	180	40.2	30	3	DFN8x8

选型表 - LONTEN 立即选型

LNG7N40 Lonten N-channel 400V, 7A Power MOSFET

型号- LNG7N40

数据手册 - LONTEN - Revision 1.0 - 2024/1/25 PDF 英文下载

LSGC085R055WE Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5mΩ Power MOSFET

型号- LSGC085R055WE

数据手册 - LONTEN - Rev 0.2 - 2022-07-27 PDF 英文下载

LSGC085R055 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5mΩ Power MOSFET

型号- LSGC085R055

数据手册 - LONTEN - Rev 1.3 - 2022-04-23 PDF 英文下载

LNG5N50C Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFET

型号- LNG5N50C

数据手册 - LONTEN - Revision 1.0 - 2024/2/20 PDF 英文下载

龙腾半导体MOS和IGBT助力电池化成电源应用，增强di/dt能力，有效降低损耗提升驱动抗干扰

锂电池化成是锂电池刚生产出来后对其做一次充电，借以激活电池，其作用类似于对软盘的“格式化“，化成完成后电池才能开始正常的充放电。本文将为大家介绍LONTEN MOS和IGBT在化成电源上的应用。

应用方案发布时间 : 2023-11-23

LSGE085R052 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.2mΩ Power MOSFET

型号- LSGE085R052

数据手册 - LONTEN - Rev 1.3 - 2022-04-23 PDF 英文下载

LNG3N50 Lonten N-channel 500V, 3A Power MOSFET

型号- LNG3N50

数据手册 - LONTEN - Revision 1.0 - 2024/3/5 PDF 英文下载

LONTEN高压平面MOSFET选型表

提供LONTEN高压平面MOSFET选型：VDS：500V~650V；ID(A)：2~250A；VGS(V)：30；封装包括：TO-126,TO-126F,TO-220,TO-220F ,TO-247,TO-252,TO-262,TO-263等,具有低导通损耗,高雪崩耐量,高可靠性,更好的EMI兼容性等特点

产品型号	品类	VDS(V)	ID(A)25℃	RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)	RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)	Qg(nC)(VGS=10V)	VGS(V)	VGS(th)(V)	Package
LND6507	高压平面MOSFET	650	7	1200	1400	20.7	30	3	TO-220F

选型表 - LONTEN 立即选型

LNG5N50 Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFET

型号- LNG5N50

数据手册 - LONTEN - Rev 1.0 - 2023-07-31 PDF 英文下载

龙腾半导体不同MOSFET产品可满足服务器电源应用需求，更大程度降低开关、导通损耗

服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。本文介绍龙腾半导体的高压SJMOS和龙腾半导体的SGT MOS在服务器电源市场应用上面得产品优势。

应用方案发布时间 : 2023-11-14

LONTEN中低压SGT MOSFET选型表

提供LONTEN中低压SGT MOSFET选型：VDS：30V~100V；ID(A)：12.6~305A；VGS(V)：20V；封装包括：PRPAK3×3、TO-220、TO-220F 、TO-247、TO-252、TO-262、TO-263、SOP8等采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，产品在低Ronsp特性基础上能够兼顾高BV，且雪崩耐量高，同时产品各使用参数波动特别小等特性

产品型号	品类	VDS(V)	ID(A)25℃	RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)	RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)	RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=4.5V)	RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=4.5V)	Qg(nC)(VGS=10V)	VGS(V)	VGS(th)(V)	Package
LSGN10R080L	中低压SGT MOSFET	100	83	7.1	8	10	13	28.3	20	1.9	DFN5×6