【产品】采用先进SAMWIN技术的N沟道增强型功率MOSFET SW110R06VT，具有快速开关时间、低导通电阻等特性

时间： 2023-04-25 来源：芯派科技官网

代理服务

技术支持

采购服务

SW110R06VT是芯派科技推出的一款采用SAMWIN的先进技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装。得益于该技术，器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。

特点：

高强度

低R_DS(ON)_：

11mΩ（典型值)@V_GS=4.5V

10mΩ（典型值)@V_GS=10V

低栅极电荷（典型值69nC）

改进的dv/dt能力

100%雪崩测试

应用：

电子镇流器

电机控制

同步整流

绝对最大额定值参数

*.漏极电流受结温限制

电气参数(T_J=25℃，除非特别说明)

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受结温限制

2.L=2mH，I_AS=14A，V_DD=50V，R_G=25Ω，起始T_j=25℃

3.I_SD≤11A，di/dt=100A/μs，V_DD≤BV_DSS，起始T_j=25℃

4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

5.基本上与工作温度无关

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Vicky翻译自芯派科技官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】30V/16A的N沟道增强型功率MOSFET SW055R03VLT，具有低导通电阻、低栅极电荷等特性

SW055R03VLT是芯派科技推出的一款基于先进的SAMWIN技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装，得益于该技术，器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。

2023-05-10 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】用于DC/DC同步整流的双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A，漏-源导通电阻典型值低至19.5mΩ

台舟电子推出了双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A。该产品采用了沟槽式功率技术，低导通电阻、低栅极电荷等特点。主要应用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流，以及电信和工业中的隔离式DC/DC转换器。

2022-11-12 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】100V/80A的N沟道增强型功率MOSFET BLP038N10GL，采用先进的双沟槽技术，具有快速开关等特性

BLP038N10GL是上海贝岭推出的一款基于先进的双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5X6封装，降低了导通损耗，提升了开关性能，提高了雪崩能量，适用于同步整流和高速开关应用。

2023-05-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

DHS021N04P 100A 40V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DHS021N04P型N沟道增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的分裂栅槽技术设计，具有低导通电阻、低栅极电荷等优点，适用于SMPS同步整流、硬开关和高速电路等领域。

WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DHS021N04P,DHSXXXNEXXF,HIGH SPEED CIRCUIT,电机控制,开关模式电源,HARD SWITCHING CIRCUIT,不间断电源,UPS,SMPS,电动工具,MOTOR CONTROL,POWER TOOLS,高速电路,硬开关电路

2023.07.05 - 数据手册 - Rev. 3.0 代理服务技术支持采购服务

DSG052N14N/DSE050N14N 180A 135V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DSG052N14N/DSE050N14N两款N沟道增强型功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的Split Gate trench技术，提供优异的Rdson和低栅极电荷，符合RoHS标准。产品具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关、低反向转移电容等特点，适用于电机控制、电池管理和不间断电源等领域。

WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DSG052N14N,DSE050N14N,D□SE050N14N,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理

2023.7.20 - 数据手册 - Rev. 2.0 代理服务技术支持采购服务

DHS055N07B/DHS055N07D 95A 68V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DHS055N07B/DHS055N07D型号的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的分割栅槽技术设计，具备优异的Rdson和低栅极电荷特性，符合RoHS标准。产品特性包括快速开关、低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩电流、低反向转移电容等，适用于SMPS同步整流、硬开关高速电路、电源工具、UPS、电机控制等领域。

WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N沟道增强型功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,DHS055N07B,DHS055N07D,电机控制,开关模式电源,不间断电源,UPS,SMPS,电动工具,MOTOR CONTROL,POWER TOOLS

2023.7.20 - 数据手册 - REV.2.0 代理服务技术支持采购服务

WMQ30N06TS 60V N沟道增强型功率MOSFET

WMQ30N06TS是一款采用先进功率沟槽技术的60V N-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于同步整流和直流/直流转换器等领域。

WAYON - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,WMQ30N06TS,同步整流,DC/DC变换器,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,DC/DC CONVERTER

2022/3/4 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

WMB190N15LG4 150V N沟道增强型功率MOSFET

WMB190N15LG4是一款150V N-Channel增强型功率MOSFET，采用Wayon的第四代功率沟槽MOSFET技术，旨在最小化导通电阻并保持优异的开关性能。该器件适用于高效率快速开关应用。

WAYON - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,WMB190N15LG4,发光二极管背光应用,同步整流,电机控制,MOTOR CONTROL,LED BACKLIGHTING,SYNCHRONOUS RECTIFICATION

2024/10/15 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

WMJ380N25HG2 250V N沟道增强型功率MOSFET

该资料介绍了Wayon公司生产的WMJ380N25HG2型号的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件采用第二代功率槽栅极技术，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能，适用于高效快速切换应用。

WAYON - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,WMJ380N25HG2,HIGH EFFICIENCY FAST SWITCHING APPLICATIONS,发光二极管背光应用,电机控制,MOTOR CONTROL,DC/DC变换器,高效率快速开关应用,LED BACKLIGHTING,DC/DC CONVERTER

2024/8/21 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

DSP051N10N 96A 100V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DSP051N10N型N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的分割栅槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷等特点，适用于SMPS同步整流、硬开关高速电路、电源工具、不间断电源（UPS）和电机控制等领域。

WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DSP051N10N,DSGXXXNEXXNA,HIGH SPEED CIRCUIT,电机控制,开关模式电源,HARD SWITCHING CIRCUIT,不间断电源,UPS,SMPS,电动工具,MOTOR CONTROL,POWER TOOLS,高速电路,硬开关电路

2022.12.12 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务

DSE068N15NA 140A 150V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DSE068N15NA型150V 140A N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Split Gate trench技术，具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，符合RoHS标准。主要应用于电机控制和驱动、电池管理等领域。

WXDH ELECTRONICS - N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DSE068N15NA,D□SE068N15NA,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理

2022.11.05 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

WMB115N15LG4 150V N沟道增强型功率MOSFET

WMB115N15LG4是一款150V N-Channel增强型功率MOSFET，采用Wayon第四代功率沟槽MOSFET技术，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。适用于高效率快速开关应用，如同步整流、DC/DC转换器和电机控制。

WAYON - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,N通道增强模式功率MOSFET,WMB115N15LG4,电机控制,MOTOR CONTROL,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER

2023/10/24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

BLP12N10G BLP12N10G-Q N沟道增强型功率MOSFET

该资料介绍了BLP12N10G这款N通道增强型功率MOSFET的特性、绝对额定值、热特性、电气特性、特性曲线、测试电路和波形图以及封装描述。BLP12N10G采用先进的双沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩鲁棒性等特点，适用于同步整流和高速开关应用。

上海贝岭 - N-CHANNEL ENHANCED POWER MOSFETS,N沟道增强型功率MOSFET,BLP12N10G,BLP12N10G-Q,P12N10G,同步整流器,SYNCHRONOUS RECTIFIERS

10/2021 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装

丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。

2019-10-16 - 新产品代理服务技术支持采购服务