【产品】采用先进SAMWIN技术的N沟道增强型功率MOSFET SW110R06VT，具有快速开关时间、低导通电阻等特性
SW110R06VT是芯派科技推出的一款采用SAMWIN的先进技术生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装。得益于该技术，器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
特点：
高强度
低RDS(ON)：
11mΩ（典型值)@VGS=4.5V
10mΩ（典型值)@VGS=10V
低栅极电荷（典型值69nC）
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试
应用：
电子镇流器
电机控制
同步整流
绝对最大额定值参数
*.漏极电流受结温限制
电气参数(TJ=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受结温限制
2.L=2mH，IAS=14A，VDD=50V，RG=25Ω，起始Tj=25℃
3.ISD≤11A，di/dt=100A/μs，VDD≤BVDSS，起始Tj=25℃
4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5.基本上与工作温度无关
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