【产品】采用SOP-8封装的P沟道MOSFET AO4407A（KO4407A），连续漏极电流为-12A
科信（KEXIN）推出一款采用SOP-8封装的P沟道MOSFET——AO4407A（KO4407A）。Ta=25℃条件下，漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±25V。连续漏极电流为-12A，耗散功率为3.1W。
特点：
•漏-源电压VDS（V）=-30V
•连续漏极电流ID=-12A（VGS=-20V）
•漏-源导通电阻RDS(ON)<11mΩ（VGS=-20V）
•漏-源导通电阻RDS(ON)<13mΩ（VGS=-10V）
•漏-源导通电阻RDS(ON)<17mΩ（VGS=-6V）
绝对最大额定参数（Ta=25℃）
电气特性（Ta=25℃）
说明：图1-6的静态特性使用小于300μs的脉冲波，占空比最大0.5%
典型特征
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产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VGSS(V)
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VTH(Min.)
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VTH(Max.)
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RDSON(mΩ)
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Qg(nC)
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PD(W)
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2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
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SOT23-3
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20
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1
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产品型号
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品类
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package
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VCBO(V)
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VCEO(V)
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VEBO(V)
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IC(A)
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VCESAT(V)
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HFE(Min.)
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HFE(Max.)
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PD (W)
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fT(MHz)
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2KA2001
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PNP Transistors
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-40
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