【产品】N沟道增强型场效应晶体管2SK3018W，采用沟槽功率中压MOSFET技术，低输入电容18pF
萨科微（SLKOR）推出了一款N沟道增强型场效应晶体管2SK3018W。该器件采用沟槽功率中压MOSFET技术，具有低输入电容、低输入/输出泄漏、开关速度快的特点。该器件可用于电池供电系统、固态继电器、直接逻辑电平接口（TTL/CMOS）领域。
一般描述：
• 沟槽功率中压MOSFET技术
• 压控小信号开关
• 低输入电容
• 开关速度快
• 低输入/输出泄漏
应用：
• 电池供电系统
• 固态继电器
• 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
A. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
B. 安装在FR-4 PCB上的设备，1英寸 x 0.85英寸 x 0.062英寸。
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SLKOR MOSFET选型表
SLKOR提供以下参数的MOSFET选型,Vᴅss(V):-60~650,Vɢs(V):±8~±30,Iᴅ@Tᴄ=25℃(A):-70~100及多种不同的封装方式,如:SOT-23,SOP-8和TO-252-3不等
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产品型号
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品类
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N/P
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Vᴅss(V)
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Iᴅ@Tᴄ=25℃(A)
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Pᴅ@Tᴄ=25℃(W)
|
Vɢs(V)
|
Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=4.5V)
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Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=2.5V)
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Package
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SL2333A
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MOSFET
|
P
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-12
|
-6
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1.2
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±8
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40
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50
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SOT-23
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品牌：SLKOR
品类：N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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