【产品】40V/25A/7.5mΩ的N沟道MOSFET CJAB25N04S，采用先进的沟槽工艺
长晶科技(JSCJ)推出的CJAB25N04S是一款开启电压在1.0~2.5V范围内的N沟道MOSFET，可提供25A的最大传输电流。在保证优秀RDS(ON)的同时，还可提供较低的栅极电荷。具有较高的电流处理能力和交流开关特性，支持应用于直流负载开关以及高频开关应用。采用绿色环保的PDFNWB3.3x3.3-8L封装，结温范围为-40℃~ +150℃。 40V的耐压较30V更具应用优势，常见于无线充快充和移动电源。
图为长晶科技CJAB25N04S封装图
长晶科技CJAB25N04S的优势与特点
· VDS：40V
· VGS：±20V
· VGS(th)：1~2.5V
· RDS(on)：7.5mΩ@10V TYP
· Ciss：1200pF@25V 1MHz
· Qg：20.3nC@20V
应用领域
· 无线充
· 移动电源
· 电池
· 充电器
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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