【元件】使用M.2接口的固态硬盘IS502X,符合SATA 6.0Gbps标准,最大容量1920GB
泽石推出使用M.2(SATA 6Gb/s)接口的固态硬盘IS502X。IS502X完全由半导体器件组成,并使用NAND闪存,是具有高可靠性和高技术的存储介质。由于固态硬盘没有盘片(磁盘)和磁头介质等移动部件,所以它可以为高性能、高容量的存储设备提供一个良好的解决方案。IS502X的连续读取速度为550MB/s,连续写入速度为470MB/s。在极端环境下,它依然拥有稳定的功能,具有高可靠性。IS502X可以在严格的条件下正常运行,例如高温度和高湿度环境下(85℃和95%的湿度)。
产品信息:
产品名称:IS502X
固态硬盘控制器:Huangpujiang
NAND颗粒:YMTC,X2-9060 TLC
特性:
符合SATA 6.0Gbps(修订版3.2)标准
M.2 2280-D3-B-M
完全符合ATA/ATAPI-7标准
支持S.M.A.R.T(自我监测、分析和报告技术)
稳定的写入/读取速度
工作环境-40~85℃
支持NCQ(队列深度高达32)命令集
支持TRIM(数据集管理)命令
支持一键抹除
环境规格
温度
工作温度2):-40~85℃
非工作温度:-40~85℃
湿度(不凝结):5%~95%
冲击(半正弦脉冲):1500克(0.5毫秒)
振动(非工作):20克,20~2000Hz,正弦波
可靠性
不可恢复性读取错误率:读取1015位为1位
MTBF:2000000小时
电源要求 3)
电源电压:3.3V±5%
电压纹波/噪声(最大):100mVp-p
活动(典型读取值):高达2W
活动(典型写入值):高达2.6W
空闲(典型值):150mW
物理尺寸
宽度:22.0±0.15毫米
长度:80.0±0.15毫米
高度:3.65(最大)毫米
重量4):高达7g
总写入数据量(TBW):
ZSS03EE01T:200TB
ZSS03EE02T:400TB
ZSS03EE1TT:800TB
ZSS03EE2TT:1600TB
性能:
数据传输率5)
最大连续读取速度可达550MB/s
最大连续写入速度可达450MB/s
最大随机读取50KIOPS
最大随机写入35KIOPS
注:规格如有变化,恕不另行通知
1) 1MB=1000000 Bytes,1GB=1000000000 Bytes,未格式化的容量。用户可访问的容量可能因操作环境和格式化而有所不同。
2) 工作温度由固态硬盘温度传感器测量(S.M.A.R.T属性),建议适当的气流。
3) 读写功耗是在执行IOMeter@Windows10 64位时测量的。
4) 重量是以1920GB为基准,个别产品差别不大。
5) 连续性能和随机性能是在CDM(8.0.4)默认设置下测量的。已开启写入缓存。
硬盘容量
表2 用户容量和扇区寻址
注释:
1)1M(MB)=1百万Byte;1G(GB)=10亿Byte
2)实际可用的容量可能更少(由于格式化、分区、操作系统、应用程序或其他原因)。
性能
表3 读取/写入性能
注释:
1)连续性能和随机性能是在CDM(8.0.4)默认设置下测量的。
2)已开启写入缓存。实际性能可能因使用条件和环境而不同。
电气特性
表4 工作电压
表5 浪涌电流
注释:
1)压摆率应超过1ms。
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产品型号
|
品类
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Density(Mb、Gb、GB、TB)
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Speed(MT/s、Gbps、MHz)
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Voltage (V)
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Memory
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Temp. Range (℃)
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Bus
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Interface
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Package
|
Size (mm)
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FI4S26M016GSC3
|
DDR4 DIMM
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16GB
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2666MT/s
|
1.2V
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DDR4
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0℃ to 85℃
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64bits
|
260pin
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SODIMM
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系列,NSD1624-DSPR,NSI6602VA-Q1SWR,NSD1026V-Q1HMSR,NSI8242CX-DSWR,NSI6602MNC-Q1SWTR,NST20,NIRS31,NSREF30XX,NCA9545,NSI6622NA-DLAMR,NSI1042,NSI6611,NCA9546,NSI6622B-DSPNR,NCA9306,NCA9548,NSD12416-Q1SPR,NSI6602MC-Q1SWTR,NSI8242NX,NSD8381-Q1QAIR,NSD8308-Q1HTSXR,NCA9617A,NST1001HA,NSI6602VA-DSWR,NSI1303D2X,NSI6601B-DSWVR,NSD7310-DHSPR,NSI6601,NSD731X-Q1,NCA1057N-Q1SPR,NSR7808GXX,NSD7312-Q1HSPR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602MNF-DSWTR,NSD1026V-DHMSR,NSA3300,NSI6602C-Q1SWKR,NSC2860X,NSI6622NB-Q1SPNR,NCA1051N-DSPR,NSI6611ASC-DSWR,NSI22C11,NSI8230CX-DSWR,NSI6801B-DSPR,NSI6622A-DSPNR,NSD5604NE-DHTSTR,NSI6601MB-Q1SWVR,NST86,NCA1042B/ A-Q1,NIRS31-DSSR,NSI6642C-DSWKR,NSE4250 系列,NSA2200,NSI8262WX,NSI6602NB-DLAMR,NSE11409,NSI8260SX,NSPGD1,NCA1042B-Q1SPR,NSI6602VD-Q1SPNR,NSI6622NC-DLAMR,NSD8306,NSD3608-Q1,NSD731X,NSD8308,NIRSP31V,NSI6602VB-DLAR,NSD73
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纳芯微电子(NOVOSENSE)信号感知芯片/隔离与接口芯片/驱动与采样芯片选型指南(英文)
描述- NOVOSENSE Microelectronics (NOVOSENSE, SSE Stock Code 688052) is a highly robust & reliable analog and mixed signal Chip company. Since its establishment in 2013, the company has been focusing on sensor, signal chain, and power management, providing comprehensive semiconductor products and solutions, which are widely used in automotive, industrial, information communication and consumer electronic
型号- NSI6602NA-DLAR,NSL21924-Q1,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSM211X,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSHT30-CLAR,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSI8231,NSI8230,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8221,NSI8220,NSE5701 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泽石全新一代QLC旗舰产品TQP4000系列腾Q固态硬盘震撼发布,顺序写可达6500MB/s
半导体存储技术中的核心存储颗粒技术从SLC、MLC、TLC一路发展到QLC,高端消费级固态硬盘产品——泽石旗下品牌“腾隐”勇于探索存储技术的发展趋势,积极布局研发国产化产品,在国内率先正式发布全新一代“腾Q”系列QLC固态硬盘。
产品 发布时间 : 2023-11-11
泽石科技亮相2024全球闪存峰会,荣获2024年度固态硬盘企业金奖
2024年8月28日,以“芯存储 AI未来”为主题的2024全球闪存峰会在南京金陵饭店顺利召开。泽石科技作为国内领先的存储解决方案提供商,携旗下广泛应用于工业、企业和消费领域的泽石SSD产品及解决方案,以及高端消费存储品牌“腾隐”系列产品亮相本次峰会。同时,公司还凭借在固态存储领域的技术实力和实践经验,成功登榜FMW2024年度“闪存风云榜”并荣获“2024年度固态硬盘企业金奖”。
原厂动态 发布时间 : 2024-08-30
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