【产品】采用沟槽型中压功率MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管2N7002，漏源电压60V

时间： 2020-11-07 来源：扬杰科技

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扬杰科技推出的2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。其漏源电压极限值为60V，漏极电流极限值为340mA（@T_A=25℃），漏源导通电阻＜3.0ohm@V_GS=4.5V，且具有输入电容低、开关速度快、输入/输出漏电流小的特点。

特点

· 采用沟槽型中压功率MOSFET技术

· 电压控制的小信号开关

· 输入电容低

· 开关速度快

· 输入/输出漏电流小

应用

· 电池供电的系统

· 固态继电器

· 逻辑电平接口：TTL/CMOS

封装和电路图

极限值（T_A=25℃，除非另有说明）

静态和动态参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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ACE Lv8. 研究员 2020-11-09

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