【产品】采用沟槽型中压功率MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管2N7002，漏源电压60V
扬杰科技推出的2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。其漏源电压极限值为60V，漏极电流极限值为340mA（@TA=25℃），漏源导通电阻＜3.0ohm@VGS=4.5V，且具有输入电容低、开关速度快、输入/输出漏电流小的特点。
特点
· 采用沟槽型中压功率MOSFET技术
· 电压控制的小信号开关
· 输入电容低
· 开关速度快
· 输入/输出漏电流小
应用
· 电池供电的系统
· 固态继电器
· 逻辑电平接口：TTL/CMOS
封装和电路图
极限值（TA=25℃，除非另有说明）
静态和动态参数（TJ=25℃，除非另有说明）
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