UMS and Fraunhofer IIS Partner to Offer GaN and GaAs Technologies to EUROPRACTICE Customers

时间： 2023-08-02 来源：UMS News

代理服务

技术支持

采购服务

UMS and Fraunhofer IIS partner to offer GaN and GaAs technologies to EUROPRACTICE customers.

United Monolithic Semiconductors (UMS) and Fraunhofer Institute for Integrated Circuits (IIS) have partnered to offer high-performance GaN and GaAs technologies to EUROPRACTICE customers. The partnership will give EUROPRACTICE customers access to UMS's GaN and GaAs power semiconductors, which are used in a wide range of applications, including power converters, RF amplifiers, and LED drivers.

EUROPRACTICE customers now have access to

0.25μm GaN high-electron-mobility-transistor (HEMT),

0.15 μm GaN HEMT and 0.1μm GaAs Low Noise Pseudo Morphic HEMT technologies by UMS.

These processes are now offered through EUROPRACTICE MPW runs with Fraunhofer IIS functioning as a service center for the EUROPRACTICE customers interested in it.

UMS is very proud of our collaboration with such a well-recognized partner and delighted to offer a new customer base the opportunity to appreciate our technology quality and performance.

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由咪猫转载自UMS News，原文标题为:UMS inside -EUROPRACTICE，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程，助力MMIC设计，提供代工服务

UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales＆EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外，UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商，拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺，可为客户提供Foundry service。PH10、PH15、PH25是UMS推

2018-10-20 - 新技术代理服务技术支持采购服务

【产品】0.5μm pHEMT单刀四掷射频开关，挑战探测极限

UMS推出的射频开关芯片CHS2412系列仅30ns的切换时间，且满足MSL1标准。

2017-03-02 - 新产品代理服务技术支持采购服务

0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

型号- GH15,GH15-10,GH15-13,GH15-11,GH15-12

2024/5/21 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用

UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。

2019-04-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【技术】0.25μm大功率pHEMT制程PPH25X，优化后的产品功率密度可达900mW/mm

PPH25X是UMS推出的0.25um大功率pHEMT制程，旨在优化应用在40GHz以下的器件的功率性能，该工艺主要包括两个金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM(金属电极)电容、空气桥、穿过基板的通孔、GaAs电阻等特征，优化设计后的pHEMT器件功率密度可达900mW/mm（栅极长度0.25um，截止频率45GHz）。

2019-11-28 - 新技术代理服务技术支持采购服务

PPH15X-20 0.15μm Power P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 本资料介绍了0.15µm pHEMT工艺，适用于宽带高功率放大，频率可达45GHz。该工艺包含两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔，可选覆盖层。主要特性包括：典型Ft为70GHz，功率密度为800mW/mm，支持TaN和TiWSi电阻、GaAs电阻、MIM电容器（标准和高密度）、空气桥和通孔，操作Vds为6.0V，Vbds > 12.0V，晶圆厚度为70µm，晶圆直径为100mm。

型号- PPH15X-20

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路

描述- UMS SATCOM提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS采用GaN和GaN技术，满足客户对LNA、PA和频率转换的需求。公司产品经过空间评估和产品认证，适用于卫星设备。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供广泛的封装解决方案，覆盖GEO和LEO卫星通信。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。

型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8252-99F,CHT4660-QAG,CHA8254-99F,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA3395-98F/QDG,CHA2352-98F,CHW4312-QKA,CHA4253-FAB,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG

2023/5/15 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【产品】0.15μm pHEMT改进型高电子迁移率晶体管PH15，主要应用于高频电路

PH15是UMS公司推出的一款射频二极管，该二极管的阈值电压典型值为-0.75V，饱和电流Idmax典型值为280mA/mm，击穿电压Vbds典型值为6V，跨导Gme典型值为95mS,最大值为110mS,与其他同类产品相比，PH15具有很低的输入电容与反馈电阻。其输入电容仅为110fF（额定值），最大不超过140fF，反馈电容仅为25fF，最大不超过30fF。

2018-10-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

PH25-20 0.25μm低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了0.25µm低噪声pHEMT工艺，适用于高达60GHz的低噪声应用。PH25-20的第二代工艺具有更薄的衬底（70µm），支持额外的2端口晶体管拓扑结构。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、两种密度的MIM电容器和MIM过孔电容器、空气桥、热孔和通过衬底的多孔。可选的覆盖层和热孔可用。

型号- PH25-20

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

PH10 UMS 0.1μM GaAs甚高频P高电子迁移率晶体管工艺

描述- PH10技术提供0.1µm GaAs Very High Frequency pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，典型噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺特点包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10产品适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等领域。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz和Down-converter CHR1080a98F。

型号- PH10,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F

2021/06/01 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【产品】38.2GHz介质谐振振荡器，通信设备的最佳选择！

UMS推出的CHV2240内部集成了K波段压控振荡器，采用pHEMT工艺制造

2017-04-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务

PH25 0.25μm低噪声P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表

描述- 该资料介绍了PH25 0.25µm低噪声pHEMT工艺，该工艺针对低噪声和多用途操作优化，适用于高达60GHz的频率。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通过衬底的通孔。可选的覆盖层。资料还提供了设计套件特性，包括ADS和MwO支持，以及可扩展的模型和特性。

型号- PH25

2024/6/10 - UMS - 数据手册代理服务技术支持采购服务

氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺

描述- 该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。

型号- GH15

2022/6/14 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务