【选型】国产0.4pF超低容值ESD阵列助力工业相机Camera Link接口ESD防护设计
工业相机上会配有标准的Camera Link接口，由多组LVDS差分信号串行链路组成，为避免其接口因静电影响造成传输的数据丢失或相关敏感电子器件被静电打死，可选择低容值TVS阵列设计，选型因素参考如下：
1、 超低容值：结电容小于1pF；
2、 高抗ESD：至少满足IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (Air)、±8kV (Contact)测试能力；
3、 小尺寸。
针对如上设计需求，推荐高特（GoalTop）超低容值ESD阵列GESD3324P，采用“直通型”设计结构，最大反向工作电压3.3V，典型I/O对I/O电容低至0.2pF，满足IEC 61000-4-2 (ESD) ±25kV (Air)、±20kV (Contact)测试能力，工作温度范围-55~125℃，典型电性参数参考如下图1所示。
图1：高特（GoalTop）ESD阵列GESD3324P典型电性参数
推荐理由如下：
1、典型I/O对I/O电容低至0.2pF，有助于维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失；
2、可通过±25kV空气放电，±20kV接触放电测试，具有出色的抗ESD能力；
3、走线采用“直通型”设计结构，可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计；
4、采用DFN2510封装，典型封装尺寸2.5x1.0mm，可满足小型化设计需求。
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高特ESD Protection Device选型表
高特ESD Protection Device，符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准；符合IEC61000-4-4FET 40A, 5/50ns标准；符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准；多工作电压段供选择：2.5V-36V；可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品；超低电容，最低电容达0.2pF；超低反向漏电流，最低反向漏电流1nA；全线采用微型贴片封装外形，最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm)；全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。
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产品型号
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品类
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PPP(W)
|
VRWM(V)
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VBR(V)
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VC(V)
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IPP(A)
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IR(uA)
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Cj(pF)
|
Package
|
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GESD0301BU
|
ESD Protection Device
|
100
|
3.3
|
4.2
|
25
|
4
|
0.1
|
0.25
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DFN1006
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选型表 - 高特 立即选型
高特ESD防护器件产品介绍
描述- 高特半导体/高特微电子,成立于2012年，是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案的设计研发、生产及营销于一体的国家高新技术企业。产品涵盖ESD防护器件，极快恢复二极体，低正向肖特基二极体等产品，广泛应用于汽车电子，网络通讯，安防工控，智能终端及消费类电子产品等领域。
型号- LESD3Z5.0C,ESD5ZXXX,GESD0522P,GSD4V5TC,GSD5ZXXX,GESD0502TL,GESD0504TL,GESD0301PBC,GSMXXC,GSD15C,GBLCXXCI,GSDXXC SERIES,GESD0502BN,GESD5B5CL,GESD0801PB,GSMXX SERIES,GSMXX,GSDXXC,GSD12C,GSD12DFMC,GSD20C,GSR05LC,GESD0301BU,GESD0508P,ESD5ZXXXSERIES,GESD0502T5L,LESD5Z5.0C-H,GSD8DXXX SERIES,GSD18DFJC,GSD8DXXX,GESD0524P,GESD05D6BU,GSDXX,GESD0504F,GESD0301CM,LESD5Z5.0C,GESD05D6BN,GSD5ZXXXSERIES,GESD3324P,GESD03D6BN,GSMXXC SERIES,GSDXX SERIES,GESD03D6BU,GESD0501BU,GSD4V5S,GESD5Z36,GESD8D36V,GESD0524SP,GESD0501CM,GSD18C
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服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
测试等级：空气放电30KV±5%；接触放电30KV±5%，适用标准：GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951；给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
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