本文由银河系提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品,助力高效、大功率工业应用
近日,瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装简便,也更安全。
GPT080M0120HBMXT1碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了GPT080M0120HBMXT1型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。
型号- GPT080M0120HBMXT1
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
【选型】捷捷微电推出专为光伏逆变器设计的光耦产品,可实现输入输出的完全电器隔离
江苏捷捷微电子股份有限公司是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业,同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。本文主要介绍江苏捷捷微电子产品在光伏逆变器应用方案,详细内容如下。
GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET
描述- 该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。
型号- GPT040M0120HBMX1
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
芯众享推出DFN5*6和DFN8*8封装的快充PFC电路专用碳化硅二极管,最高工作温度可达175℃
芯众享针对USB PD快充推出了两款超薄封装的碳化硅二极管,助力高功率密度快充产品的开发。该两款器件参数均为650V耐压,Tc=155℃时连续正向电流为6A,封装分为DFN8*8和DFN5*6。几乎无反向开关损耗的特性,可显著提高系统能效。
G2M080120D7碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了G2M080120D7型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作等特性,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。
型号- G2M080120D7
基本半导体发布适配EasyPACK封装的Pcore2 E2B碳化硅功率模块和门极驱动芯片系列新品
7月11-13日,在2023慕尼黑上海电子展上,基本半导体正式发布工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 至此公司产品阵容进一步完善,充分展现了基本半导体的专业技术实力和创新能力,吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。
蓉矽半导体亮相上海慕尼黑电子展,重点展示碳化硅MOSFET、二极管及光伏逆变器、新能源汽车等应用解决方案
2024年7月8日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心开幕。蓉矽半导体在E3馆3646号展位,重点展示了碳化硅MOSFET/二极管EJBSTM,以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。
G2M060120N碳化硅MOSFET
描述- 本资料详细介绍了G2M060120N型碳化硅MOSFET的特性、参数和应用领域。该产品具有低开关损耗、低栅极电荷、快速高频操作、快速反向恢复体二极管等特点,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动和储能系统等领域。
型号- G2M060120N
【元件】爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET,导通电阻低至58mΩ
近日,爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求,爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率,使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
時科推出650V、900V、1200V耐压的碳化硅二极管,具有更低的功率损耗,可在高频高温的环境下工作
广东時科微实业有限公司技术工程师何沛雄先生为大家带来了《SiC应用技术分享》的主题演讲,介绍了碳化硅与传统硅器件的优势,碳化硅二极管的优势,碳化硅二极管的应用,以及時科碳化硅二极管的产品介绍。
G2M040120N碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为G2M040120N的碳化硅(SiC)MOSFET的特性、最大额定值、热特性、电学特性、动态特性、体二极管特性和典型特性曲线。该器件适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源和电机驱动等领域。
型号- G2M040120N
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论