【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ，漏源导通电阻最大值仅0.044Ω
超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
650V超结功率场效应管
超结功率场效应管是针对高压功率场效应管的一项革命性技术，根据SJ原理设计。 SJ 场效应管是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。
特性
超快体二极管
极低品质因素FOM RDS(on)×Qg
经过100％雪崩测试
符合RoHS
应用
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
关键性能参数
TPW65R044MFD采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，可以适用高电压高功率情况，漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A，标准总栅极电荷典型值为165nC，脉冲漏极电流最大额定值为216A。其中漏源体二极管的在400V、36A下的反向恢复时间的典型值为242ns，反向恢复电荷的标准值为1.45μC，峰值反向恢复电流的典型值为12A。
TPW65R044MFD的外部封装图和内部原理图
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型号- 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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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