【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ，漏源导通电阻最大值仅0.044Ω

时间： 2019-11-21 来源：无锡紫光微电子

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超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

650V超结功率场效应管
超结功率场效应管是针对高压功率场效应管的一项革命性技术，根据SJ原理设计。 SJ 场效应管是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。

特性

超快体二极管
极低品质因素FOM RDS(on)×Qg
经过100％雪崩测试
符合RoHS

应用

开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

关键性能参数

TPW65R044MFD采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，可以适用高电压高功率情况，漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A，标准总栅极电荷典型值为165nC，脉冲漏极电流最大额定值为216A。其中漏源体二极管的在400V、36A下的反向恢复时间的典型值为242ns，反向恢复电荷的标准值为1.45μC，峰值反向恢复电流的典型值为12A。

TPW65R044MFD的外部封装图和内部原理图

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全部评论（1）

Nita Lv5. 技术专家 2019-12-07

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型号- AT18NF65S

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产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

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型号- MCR65B260CTB,MCR65B260CT,MCR65B260CTF

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型号- APR036N65S

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型号- TPA90R350A,TPB90R350A,TPW90R350A,TPP90R350A

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型号- SIF65R600 TO-220FP-TU-HF,SIF65R600 TO-220FP-TU,SIF65R600 TO-262-TU,SIF65R600 TO-263-TU,SIF65R600 TO-263-TR-HF,SIF65R600,SIF65R600 TO-263-TR,SIF65R600 TO-262-TU-HF,SIF65R600 TO-220-TU,SIF65R600 TO-220-TU-HF,SIF65R600 TO-263-TU-HF

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