【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ，漏源导通电阻最大值仅0.044Ω
超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
650V超结功率场效应管
超结功率场效应管是针对高压功率场效应管的一项革命性技术，根据SJ原理设计。 SJ 场效应管是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。
特性
超快体二极管
极低品质因素FOM RDS(on)×Qg
经过100％雪崩测试
符合RoHS
应用
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
关键性能参数
TPW65R044MFD采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，可以适用高电压高功率情况，漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A，标准总栅极电荷典型值为165nC，脉冲漏极电流最大额定值为216A。其中漏源体二极管的在400V、36A下的反向恢复时间的典型值为242ns，反向恢复电荷的标准值为1.45μC，峰值反向恢复电流的典型值为12A。
TPW65R044MFD的外部封装图和内部原理图
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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