【应用】高度集成PIR控制芯片NSA3182FT100应用于人体存在检测设备,工作电流13µA,输入信号灵敏可调
PIR运动传感器检测红外辐射,以检测物体附近是否存在物体。随着这些设备中被动红外运动传感器的使用不断增加,市场在预测期内显示出显着增长。近期遇到客户人体存在检测设备项目上,需找一个PIR控制芯片,要求集成度高,功耗小,检测精度好,推荐纳芯微的NSA3182FT100芯片,特此介绍一下其应用。
NSA3182FT100电源管理芯片的部分应用电路框图:
从框图可以看出PIR红外传感器接收到微弱的感应信号,通过NSA3182FT100芯片内部放大,滤波,超出设定阈值,NSA3182FT100输出脚输出高电平,高电平信号给到MCU,MCU做相应的报警或LED指示。
NSA3182FT100的一些参数特性:
1、工作电压范围3.1~12V,工作电压范围较宽。
2、NSA3182FT100内部有模拟前端,ADC,滤波器,检测算法,接口及其他控制模块,集成度高,功能稳定。
3、数字信号处理, 内置高精度模数转换器,移动检测单元可以针对移动热源进行算法甄别,提高系统抗干扰性,检测精度高。
4、输出驱动能力较强, 支持继电器输出。
5、传感器输入信号灵敏度可调,应用灵活。
6、有16档开关时间调节功能,报警维持时间可通过外部电阻调节。
7、工作电流13µA,功耗非常低。
8、内置3V LDO输出可给PIR传感器供电稳定,省去了外部的LDO。
9、可配合外部光敏器件实现白天/夜晚的区分。
10、工作温度-25~85°C,满足消费类产品应用环境。
11、采用SOP8的封装及各脚位功能。
四:设计时注意事项
1、ONTIME,SENS,OEN管脚不能悬空。
2、LAYOUT时,电源滤波电容尽量靠近IC附近,布线尽量短。
综上所述:NSA3182FT100参数上具有应用电压范围广,电流损耗小,抗干扰性强,功能稳定在人体存在检测产品中测试功能正常。在方案开发应用中,世强可以提供及时的技术服务,在货源上能给于稳定供货支持。
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型号- NSI6602NA-DLAR,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSM 2115,NSI8231,NSI8230,NSM 2117,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSM 2119,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8100,NSI8221,NSI8220,NSI6642C-DSPNR,NSM1051,NSI822XC,NSIP8921W1-DSWR,NSI6602MNF-Q1SWTR,NSD11416-Q1STBR,NSI6602VB-Q1SPNR,NCA3491,NSI6642A-DLAR,NSI6602NB-Q1SWKR,NSA2860_TSSOP,NSD1026V,NSI8221CX-DSWR,NSE34050,NSD12416– Q1,NCA1043B-Q1DNKR,NCA1044N-Q1SPR,NSIP8944W1-DSWR,NSPGL1 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SERIES,NCA1057N-Q1DNR,NSP163X,NSI6602NC-DSPNR,NCA1042BN-Q1,NSI8221WX,NSI66X2,NSI6631ASC-Q1SWR,NSI6602MNC-DSWTR,NCA1042B-Q1DNR,NSI6642,NSI6601C-DSWVR,NIRS2X,NSI6601MB-DSWR,NSI8266SX,NSI6602NB-Q1SPOR,NCA34XX SERIES,NSI6602NC-Q1SPOR,NSD7310A,NSD8306-Q1,NSI6622ND-DLAMR,NSG65N15K,NSD12409-Q1SPR,NSE4250 SERIES,NCA1042CN-DSPR,NSI6602VA-DSWKR,NSI6642D-DLAMR,NCA1051N,NSI6642A-DSWKR,NIRS20N1-DSPR,NIRS21N1-DSPR,NSI6622NA-DLAR,NSC2860X-DQNR,NSI1042-DSWVR,NCA1042C-Q1SPR,NSI6602C-DSWR,NCA1057-Q1DNR,NSI8221CX-DSPR,NPD010N120A-DTOGT,NSI6602VB-Q1SWR,NSI8210CX-DSPR,NSD1026V-QISPR,NSD12416‒Q1,NSI1050-DDBR,NSI8241NX,NSI6602NC-Q1SPNR,NCA1042BN-Q1DNR,NSR10AXX SERIES,NST461,NSD2621X,NCA1042A-Q1,NSI8222WX,NST103,NSI1303D0X,NSI1303E2X,NSI6622A-Q1SWKR,NSI6602VC-DLAR,NSR31 SERIES,NSD16242-DSPR,NCA9555,NSI1052,NSC6360,NSC6362,NSI6622NB-DLAMR,NSI6651ALC-DSWR,NSC6364,NSI6602NA-DSPNR,NSI6622A-DLAR,NSI6622C-Q1SPNR,NCA1042C,NSI8220CX-DSWR,NSI6622C-DSPNR,NSA3166,NCA1042A-Q1SPR,NSIP8941W0-DSWR,NSI6642B-DLAR,NCA1042B-Q1,NSPGD1M,NSPAS3 SERIES,NSD1624-DSPR,NSI6602VA-Q1SWR,NSD1026V-Q1HMSR,NSI8242CX-DSWR,NSI6602MNC-Q1SWTR,NSL2163X-Q1,NST20,NIRS31,NSREF30XX,NCA9545,NSI6622NA-DLAMR,NSI1042,NSI6611,NCA9546,NSI6622B-DSPNR,NCA9306,NCA9548,NSD12416-Q1SPR,NSI6602MC-Q1SWTR,NSI8242NX,NSD8381-Q1QAIR,NSD8308-Q1HTSXR,NCA9617A,NST1001HA,NSI6602VA-DSWR,NSI1303D2X,NSI1050,NSI6601B-DSWVR,NSD7310-DHSPR,NSI6601,NSD731X-Q1,NCA1057N-Q1SPR,NSR7808GXX,NSD7312-Q1HSPR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602MNF-DSWTR,NSD1026V-DHMSR,NSA3300,NSI6602C-Q1SWKR,NSC2860X,NSD11416‒Q1,NSI6622NB-Q1SPNR,NCA1051N-DSPR,NSI6611ASC-DSWR,NSI22C11,NSI8230CX-DSWR,NSI6801B-DSPR,NSI6622A-DSPNR,NSD12409‒Q1,NSD5604NE-DHTSTR,NSPDSX SERI
纳芯微电子-汽车电源芯片介绍
型号- NSE34050D-Q1,NSR10AXX,NSR7808-Q1,NSR35XXX-Q1,NSL21630,NSL21631,NSE11409-Q1,NSL21610,NSR31XXX-Q1,NSE34050Q-Q1,NSRXXX-Q1,NSE34050S-Q1,NSE5501-Q1,NSL21611,NSR31XXX,NSR33XXX-Q1,NSL2163X,NSR33XXX,NSL2161X,NSR35XXX
NSA318x Series 产品停产/型号升级通知单 PDN (SZNX/QR-QD-126)
型号- NSA318X 系列,NSA3182FT140,NSA3183FT980,NSA318X SERIES,NSA3182FT000,NSA3182FT100,NSA3180TFT06,NSA3180FT524,NSA3180FT520,NSA318X,NSA3180TFT00,NSA3182FT180
纳芯微智能隔离驱动NSI6611和隔离放大器NSI1311荣获“电驱动技术创新奖”,已在多家车厂实现批量装车
2023年6月26-27日,由NE时代举办的全球xEV驱动系统技术暨产业大会在上海隆重召开。作为国产汽车芯片的领跑者,纳芯微在本次大会同期举办的“中国优秀电驱动企业&优秀产品颁奖盛典”上摘得“电驱动技术创新奖”。
原厂动态 发布时间 : 2023-06-29
纳芯微PIR解决方案
型号- NSA3182,NSA3182FT140,NSA3180,NSA3182FT100,NSA3182FT101,NSA3180FT524,NSA3182FT102,NSA3180FT520
纳芯微电子助力中国科大程林教授课题组在电源管理芯片设计领域取得重要进展
近日,中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的两款电源管理芯片亮相集成电路设计领域最高级别会议 ISSCC,发表在ISSCC2022上的研究成果第一作者为中国科大学微电子学院特任副研究员潘东方,程林教授为通讯作者,纳芯微电子为论文合作单位。
原厂动态 发布时间 : 2022-03-07
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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