【产品】17A/60V的商业/工业级N沟道功率MOSFET DI017N06PQ， 漏源导通电阻典型值低至28mΩ
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI017N06PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5×6封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为60 V（VGS=0V），栅源电压为±20V，耗散功率为21W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流为17A（TC = 25℃ ），漏极峰值电流为50A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器等应用领域。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征
薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩耐量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
同步整流器
商业/工业级应用
产品型号后缀-AQ表示符合AEC-Q101认证
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值
电气特性
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
|
0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI255N04PQ
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型号- DI045N10PQ-AQ,DI045N10PQ,DI045N10PQ-Q
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型号- DI145N04PQ-Q,DI145N04PQ,DI145N04PQ-AQ
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型号- DI201N04PQ-AQ,DI201N04PQ
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型号- DI160N04PQ,DI160N04PQ-Q
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型号- DI050N06D1-AQ,DI050N06D1,DI050N06D1-Q
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型号- DI080N06PQ,DI080N06PQ-AQ
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
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授权代理品牌：集成电路
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