【产品】方舟微耗尽型功率MOSFET DMX1072/DMS1072,电压100V,可用于抑制浪涌电流、常开开关等领域
方舟微推出耗尽型功率MOSFET DMX1072/DMS1072。该器件采用专有的高级平面技术、可靠的多晶硅栅单元结构工艺,具有改进的ESD能力和快速开关速度能力,符合RoHS标准,无卤素添加。器件可应用于抑制浪涌电流、常开开关、恒流源和保护电路等应用领域。
产品外观和示意图
一般特性:
·耗尽型(常开型)功率MOSFET
·专有的高级平面技术
·采用可靠的多晶硅栅单元结构工艺
·改进的ESD能力
·快速开关速度能力
·符合RoHS标准
·无卤素添加
应用领域:
·抑制浪涌电流
·常开开关
·恒流源
·保护电路
订购信息:
绝对最大额定值:
TA=25℃,除非另有说明。
注意:超出“绝对最大额定值”中所列的应力可能会导致器件的永久性损坏。
热特性:
[1] TJ=+25℃至+150℃。
[2]重复额定值,脉冲宽度受限于最大结温。
[3]脉冲宽度≤380µs;占空比≤2%。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由安卡翻译自方舟微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1015E/DMX1015E,可用于快充、电流源和电压源
DMZ1015E/DMX1015E是方舟微超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,采用专有超高阈值电压技术开发和制造。通过使用亚阈值特性,耗尽型MOSFET可以为负载提供稳定的功率,并且可以在不使用齐纳二极管的情况下由内部钳位保护负载,并且降低了电路损耗。
电路保护专家方舟微,提供全系列DMMOS可精准选型,特殊型MOS可高端定制
专业电路保护创新先行者,ARK(方舟微)提供国内唯一耗尽型MOSFET,提供全系列DMMOS可精准选型,并支持特殊型MOS可高端定制。
【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ0615E/DMX0615E,输入电压可高达70V
DMZ0615E / DMX0615E 是方舟微(ARK)推出的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET,DMZ0615E是一种宽范围电压(高达70V)调节器。其输入电压可高达70V,并可根据不同的工作条件提供约8V-23V的稳定输出电压。
【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
DMD21R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据手册
描述- 本资料为1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET(DMD21R120A)的初步数据手册。资料详细介绍了该MOSFET的电气特性、热特性、开关特性、二极管特性、封装尺寸等,适用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流稳压器和有源负载等应用。
型号- DMD21R120A
方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET。
DMP21R120A\DMB21R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表
描述- 本资料为1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的型录,介绍了该产品的特性、电气参数、封装尺寸和应用领域。产品具有快速开关速度、高输入阻抗等特点,适用于音频放大器、启动电路、保护电路等领域。
型号- DMB21R120A,DMP21R120A
方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-1200,ID (A):0.01-16,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。
产品型号
|
品类
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
|
Package
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
DMD4523E耗尽型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DMD4523E型增强型耗尽模式MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的平面技术,具有耐用的多晶硅栅极单元结构,符合RoHS标准且可提供无卤素版本。主要应用于瞬态保护、启动电路、转换器、常通开关、LED驱动电路、电源、电流源和电压源等领域。
型号- DMD4523E
DMP80R120A\DMD80R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表
描述- 本资料为1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的预览数据手册,详细介绍了DMP80R120A和DMD80R120A两款产品的特性、电气参数、封装尺寸和应用领域。
型号- DMP80R120A,DMD80R120A
方舟微电子有限公司产品手册
描述- ARK Microelectronics Co., Ltd.是一家总部位于中国成都的半导体公司,成立于2008年。专注于功率半导体器件的研发、设计、制造和营销,提供电源管理和电路保护解决方案。公司专注于耗尽型MOSFET的设计,并提供定制开发和生产服务。产品广泛应用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。
型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080
方舟微耗尽型MOSFET在传感器芯片供电与保护方案中的应用
方舟微耗尽型MOSFET支持高电压输入,具有极佳的抑制瞬态浪涌能力,可对复杂电磁环境中的传感器、变送器实现有效的过压过流保护。本文介绍了耗尽型MOSFET在传感器芯片供电与保护方案中的应用。
DMW03R120A 1200V N沟道耗尽型功率MOSFET临时数据表
描述- 本资料为DMW03R120A型1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET的初步数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、电气参数、热特性、开关特性、二极管特性等,适用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流稳压器和有源负载等应用。
型号- DMW03R120A
关于ARK(方舟微)产品在充电器上应用的说明
方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品,以更优的特性代替传统电路中的JFET器件,特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求,符合AEC-Q101标准,性能完全达到甚至超过国外同类产品.
电子商城
服务
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论