【应用】eGaN FET EPC2212助力车载激光雷达设计,Qg仅3.2nC
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,采用普通MOSFET搭建高功率的激光二极管并不能满足要求,故需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现,因为作为开关器件的氮化镓冲击电流和开关特性非常关键,导通的Rdson特性反而重要性较低。而应用于乘用车的车载市场,氮化镓还要求满足车规特性。
EPC生产的eGaN FET EPC2212为满足车规AEC-Q101标准的产品,已经成功应用在车载激光雷达设计上。相对于Si MOSFET,氮化镓优势在于开关延时短,响应速度更快,同样的电压下,冲击电流更大。EPC2212耐压100V,瞬态电流高达75A(Tpluse=300μS),Qg低至3.2nC。
图1、参数对比
EPC2212在激光雷达的应用原理,主要用于Q1位置:
图2、应用电路
EPC2212实现高速开关,主要是根据Qg=It估算,当驱动的电流在1A时,相当于t为3.2ns,开关响应的时间非常低。超低的Qg,通过调节驱动电流,可以实现激光二极管的tw时间在5ns左右级别的应用(图1所示的iDL脉冲波形)。
EPC2212的常态电流只有18A,但是瞬态耐电流能力高达75A,在VIN电压70V左右条件, 75A以内的大电流iDL的能量脉冲下,可实现高达上百米的检测距离。
图3:激光发射原理和波形
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