【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管INN650DA140A，具有零反向恢复电荷、超高开关频率等特性
英诺赛科推出的INN650DA140A是650V硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）增强型功率晶体管，采用双扁平无引线封装（DFN），尺寸为5mm×6mm。具有零反向恢复电荷、低栅极电荷、低输出电荷和超高开关频率等特性。产品符合JEDEC标准的工业应用要求，适用于AC-DC转换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，电池快充等领域。
特性
增强型晶体管-常闭功率开关
超高开关频率
零反向恢复电荷
低栅极电荷，低输出电荷
符合JEDEC标准的工业应用要求
ESD防护功能
RoHS，无铅，符合REACH标准
应用
AC-DC转换器
DC-DC转换器
图腾柱PFC
电池快充
高密度功率转换
高效率功率转换
主要参数（Tj=25℃）
最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
注：
1.瞬态漏源电压用于非重复事件，tPULSE<200µs。
2.脉冲漏源电压用于重复脉冲，tPULSE<100ns。
3.限值通过特性测试得出，而不是生产过程中测量得到。
4.如图10所示，最小连续栅源电压由ESD防护电路钳位。
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