【选型】SPI Flash GD25S512MDYIS替换Micron的MT25QL512ABB1EW9可行性分析
兆易创新（GigaDevice），专注于各类存储器的设计研发，已成功研发了国内第一颗移动高速存储芯片、第一颗串行闪存产品系列。兆易创新的NOR Flash、NAND Flash等产品已通过GQS ISO9001及ISO14001等管理体系的认证，可广泛应用于汽车、安防、工业、消费类等领域。
本文讨论兆易创新的SPI Flash GD25S512MDYIS替换MICRON的MT25QL512ABB1EW9-0SIT的可行性。
GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT参数对比如下表所示：
表1 GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT参数对比
从上表可知：
1、GD25S512MDYIS的频率比MT25QL512ABB1EW9-0SIT的频率高很多；
2、GD25S512MDYIS的功耗比MT25QL512ABB1EW9-0SIT的要低；
3、GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT封装、内存、工作电压、工作温度等参数一样。
GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT封装对比：
图1 GD25S512MDYIS引脚图
图2 MT25QL512ABB1EW9-0SIT引脚图
GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT的管脚定义对比如下：
图3 GD25S512MDYIS管脚定义
图4 MT25QL512ABB1EW9-0SIT管脚定义
以上可知GD25S512MDYIS和MT25QL512ABB1EW9-0SIT封装、管脚定义相同。
GD25S512MDYIS串行MCP设备配置（如图5）与MT25QL512ABB1EW9-0SIT不同GD25S512MD相当于两个GD25B256D叠加。
图5 GD25S512MDYIS串行MCP设备配置
封装内的堆叠管芯共享所有信号引脚。每个模具在出厂时都分配了一个“Die ID＃”。 在任何给定时间只有一个裸芯片处于活动状态，并且具有SPI总线的控制权以与外部SPI控制器进行通信。但是，所有管芯都将接受两条指令，而不管它们的活动或空闲状态：
1、“软件管芯选择（C2H）”指令：用于根据指令后的8位管芯ID将任何单个管芯设置为活动的 。
2、“软件复位（66H + 99H）”指令：用于将所有堆叠的管芯复位到上电状态。
综上所述，兆易创新的SPI Flash GD25S512MDYIS可以替换Micron的MT25QL512ABB1EW9-0SIT，但使用上需要注意GD25S512MDYIS的叠层操作。
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