【选型】SiC MOS管UF3C120040K3S可PIN-PIN替换科锐的C2M0040120D，性能更优

时间： 2020-02-18 来源：世强

技术问答

SiC MOSFET方案凭借其优良的性能，可以给电源带来更高开关频率，更高的系统效率，同时可降低系统的尺寸和重量，因此市面上的应用非常广泛，比如车载OBC、充电桩、DC-DC等场合，市面上主流的型号有WOLFSPEED（科锐）的1200V/40mΩ的SiC MOS管C2M0040120D等，不过因成本等因素，很多客户会选择一款低成本的替代方案，本文重点推荐UnitedSiC（联合碳化硅）的SiC MOSFET UF3C120040K3S，该产品不仅可pin-pin替代C2M0040120D，而且性能更优，其典型参数对比如下表所示。

从上表可知UnitedSiC（联合碳化硅）的SiC MOS管 UF3C120040K3S与Wolfspeed（科锐）的SiC MOS管C2M0040120D相比：

1、UF3C120040K3S的驱动电压是±25V，区别于C2M0040120D的-10至25V，有着更宽的驱动电压范围，在承受负压方面更优秀；

2、UF3C120040K3S的导通电阻最大45mΩ，应用时正向的导通损耗低，器件损耗低，相应的整机效率就更高；

3、UF3C120040K3S的结温Tj为-55~175℃，可承受温度范围更宽，热性能更好；

4、UF3C120040K3S的连续正向和脉冲电流分别为65A、175A，通流能力更强；

5、封装都为TO-247-3，管脚定义一致，可以进行PIN-PIN替换；

综上，UF3C120040K3S的整体性能更优，若对UF3C120040K3S有兴趣的读者可在世强平台搜索更多资料进行深入了解，同时世强有现货供应。

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优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

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型号- ZMC020N120C4

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ZMC060N120C4 1200V N-Channel SiC MOSFET

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【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南

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