【产品】采用SOT-563封装的N沟道增强型MOSFET-PJX138K-AU，漏-源电压最大额定值为50V
PANJIT（强茂）推出了PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET。采用SOT-563封装，其中漏-源电压最大额定值为50V，连续漏极电流最大额定值为350mA。
图1 PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET封装图
PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET的特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<1.6Ω
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<2.5Ω
RDS(ON), VGS@2.5V, ID@100mA<4.5Ω
先进的沟槽工艺技术
专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计
2KV HBM ESD 防护
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC61249标准
PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET的最大额定值和热特性：
PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET的电气特性：
PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET的机械参数：
外壳：SOT-563封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.00009盎司，0.0026克
PJX138K-AU为N沟道增强型MOSFET的订购信息：
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价格：￥1.8453
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品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1537
现货： 2,930
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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现货： 2,900
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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