【产品】瑶芯微推出的N沟道SGT MOSFET AKG100N077G，栅-源电压最大额定值为±20V

时间： 2023-03-25 来源：瑶芯微

代理服务

技术支持

采购服务

瑶芯微推出型号为AKG100N077G的N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻（R_DSON），同时保持出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。

最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达80A（T_C=25℃，漏极电流最大额定值受限于器件封装)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为52W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于DC/DC转换器，电源管理，电机驱动器以及负载开关等领域。

器件特征:

N沟道SGT MOSFET，且针对其高速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）特性
具有非常低的导通电阻
符合RoHS标准（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）

器件应用领域:

DC/DC转换器
电源管理
电机驱动器
负载开关

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装；

2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3.L=0.3mH，V_DD=20V，I_AS=10.5A，R_G=25Ω，T_J=25℃开始；

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

Note：

1.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

2.几乎与工作温度无关；

订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由飞猫警长翻译自瑶芯微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】100V/5.4mΩ的N沟道SGT MOSFET AKG10N054PM，超低导通电阻，耗散功率最大为192W

瑶芯微推出型号为AKG10N054PM的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻和超级出色的EAS特性，器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达120A，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为192W。

2023-01-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】AKG100N8K N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于高效电源管理应用

瑶芯微推出型号为AKG100N8K的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻（RDSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。器件漏源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达88A。

2022-12-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】专为汽车应用设计的N沟道SGT MOSFET AKG4N009DAM-A，导通电阻0.8mΩ

瑶芯微推出型号为AKG4N009DAM-A的N沟道SGT MOSFET，该器件专为汽车应用而设计，并由通过IATF16949认证的设备生产制造。器件符合AEC-Q101认证标准和符合PPAP要求，具有极低的导通电阻。

2022-11-17 - 产品代理服务技术支持采购服务

AKG40N013G 40V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET

描述- 本资料介绍了AKG40N013G型N通道SGT MOSFET的特性。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有超低导通电阻和优异的开关性能。主要内容包括产品特性、最大额定值、电气特性、热特性、测试电路波形、封装尺寸和标记信息。

型号- AKG40N013G

2022-11-09 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV.1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

AKG4N018GM-A 40V 1.85mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 本资料介绍了AKG4N018GM-A型N通道SGT MOSFET的特性。该器件设计用于低导通电阻，并保持优异的开关性能，特别适用于高效电源管理应用。它通过了AEC-Q101认证，具有低RDS(ON)、RoHS合规和卤素免费等特点。

型号- AKG4N018GM-A

2024/3/5 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AM04NS08H MOSFET 85V 120A N沟道SGT MOSFET

描述- AM04NS08H是一款由AiT Semiconductor Inc.生产的85V 120A N-Channel SGT MOSFET，具有快速开关、低导通电阻、低栅极电荷、低反向转移电容和高雪崩 ruggedness等特点。该产品适用于BMS和电机驱动器等领域。

型号- AM04NS08HS2VR,AM04NS08HS6R,AM04NS08H,AM04NS08HS6VR,AM04NS08HS2R,AM04NS08HT3U,AM04NS08HT3VU

NOV 2024 - AIT - 数据手册 - REV1.01 代理服务技术支持采购服务

AKG40N025G 40V 2.5mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料为AKG40N025G型N通道SGT MOSFET的数据手册。介绍了其低导通电阻、高开关性能等特点，适用于高效电源管理应用。数据手册包含了最大额定值、电气特性、热特性、封装尺寸等信息。

型号- AKG40N025G

2022-01-13 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV.1.0 代理服务技术支持采购服务

AK1G15N072GAM 150V 7.2mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AK1G15N072GAM型号的N通道SGT MOSFET的特性、性能参数、应用领域和电气特性。该MOSFET设计用于低导通电阻，适用于高效电源管理应用，符合AEC-Q101标准。

型号- AK1G15N072GAM

2024/10/14 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AKG3N015QL 30V 1.5mOhm N沟道SGT MOSFET

描述- 本资料为AKG3N015QL N通道SGT MOSFET的数据手册。该器件设计用于低导通电阻并保持优异的开关性能，特别适用于高效电源管理应用。

型号- AKG3N015QL

2022-7-13 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AKG40N011G 40V 1.1mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 本资料为AKG40N011G N通道SGT MOSFET的数据手册。该器件设计用于超低导通电阻（RDSON），同时保持优异的开关性能，特别适用于高效电源管理应用。

型号- AKG40N011G

2023-3-1 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.6 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

AKG4N016GL 40V 1.6mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AKG4N016GL型N通道SGT MOSFET的特性、性能参数和应用领域。该器件专为低导通电阻和优异的 UIS 及开关性能设计，适用于电机驱动和高效率DC-DC转换应用。

型号- AKG4N016GL

2023/12/12 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

AKG10N038GL 100V 3.8mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料为AKG10N038GL型N通道SGT MOSFET的数据手册。介绍了其低导通电阻和高效率开关性能，适用于电源管理、电机驱动器和DC-DC转换器等领域。

型号- AKG10N038GL

2022-01-13 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV.1.0 代理服务技术支持采购服务

瑶芯微分离栅沟槽MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下分离栅沟槽MOSFET产品的技术选型，MP Status、N沟槽，VDS(V)范围：+30~+150，20V-Vgs，ID(A)范围: +11~+203；Vth(V)范围：+1.5~+3.3....瑶芯微的分离栅沟槽MOSFET产品具有TO-263、TO-252、PDFN等多种封装形式可广泛应用于电机控制;LED照明; 锂电保护 ; PD快充; 工业电源; 通讯电源等领域。